单级倒立摆的LQR控制和DMC控制Matlab仿真比较

建立了单级直线倒立摆的状态空间模型,分别从线性最优二次型（LQR）控制和模型预测控制的原理出发,在MAT-LAB/SIMULINK环境下,设计了LQR控制器和动态矩阵控制（DMC）控制器,对所建立的倒立摆模型对象进行系统控制仿真。仿真结果表明,作为先进控制的DMC控制的效果比作为最优控制的LQR控制效果更好,鲁棒性更强。     

硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响

采用熔融盐辅助化学气相沉积（CVD）法在蓝宝石（Al₂O₃）衬底上制备WS2薄膜,改变硫粉的气化温度（750~800 ℃）,探寻其对WS₂薄膜生长的影响,为制备出大面积WS₂薄膜提供理论依据。采用光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）和拉曼（Raman）光谱对WS₂薄膜的形貌、结晶性和厚度进行分析。800 ℃时,WS₂薄膜平均边长可达310 μm,Raman特征峰的波数差为64.60 cm^-1（单层）。随着硫粉气化温度的升高,WS₂薄膜的生长经历了形貌及尺寸的转变,这表明在沉积过程中,硫粉引入时机对WS₂薄膜的形核、生长至关重要,适当的气化温度可以制备出尺寸较大、结晶性能良好的WS₂薄膜。     

保温时间对二维二硫化钼生长的影响

目的 研究二维MoS2薄片的生长规律，为将来过渡金属硫族化合物薄膜的生长提供理论参考与技术经验。方法 采用化学气相沉积法（CVD）制备MoS2薄片，且仅改变薄片生长的保温时间。通过光学显微镜、扫描电镜（SEM）和拉曼光谱分析探究MoS2薄片的生长规律。结果 MoS2薄片由最初的形核点逐渐生长为中心有亮点的三角形（形核点MoS2拉曼光谱特征峰波数差为20.25 cm-1）进一步生长为完整三角形的MoS2薄片（拉曼光谱特征峰波数差为18.32 cm-1）。随着保温时间的延长，薄片之间开始“拼接”成膜，并最终在此膜层上再次形核生长出体相MoS2薄片。结论 二维MoS2薄片的生长模式随着生长阶段而表现不同，最开始以非二维生长模式产生形核点，而非形核点区域以二维生长模式进行生长。在持续长大阶段，薄片以二维生长的模式为主导。在“拼接”阶段，出现多层MoS2区域。在第二层生长阶段，MoS2薄片以三维生长的模式生长。     

基于改进重复控制的不间断电源谐波抑制方法

针对传统重复控制相位超前补偿不当导致控制系统抑制不间断电源输出电压谐波效果不佳的问题,提出了一种基于组合相位超前补偿的精确补偿重复控制系统相位滞后的新方法。首先,对不间断供电电源中单相PWM逆变器进行了建模,并给出直接重复控制系统及其稳定条件;然后,设计了基于组合相位超前补偿方法、重复控制器的低通滤波器和内模滤波器;最后,通过实验验证了所提出的改进重复控制能够降低输出电压谐波,提高应急电源中逆变器输出电压波形质量。     

异纤在线检测清除装置的设计

设计了一种异纤清除装置,不仅选用新型的照明光源和线阵CCD摄像机进行高速图像采集,还选用尤其适合复杂算法的数据处理芯片DM642进行异纤识别与定位.并且在FPGA内部设计了嵌入式缓冲FIFO,实现了与DM642进行无缝接口,解决了高速图像数据采集与实时数据处理的矛盾,提高了异纤识别率.该异纤清除装置现已成功应用于在某异纤清除项目中,异纤识别率在90%以上.     

海底车避障系统神经网络算法建模分析

针对深海局部地形环境构形特征,结合海底车行走特性,将海底车越障范围内障碍物进行聚类划分,利用Surfer网格节点编辑器修改等值线,简化地形障碍物环境。将BP神经网络结构应用到海底车避障系统的神经网络设计中,提出适合海底车实现完全避障的BP网络模型,改善了BP神经网络的局部极小值问题;基于Matlab设计基于海底车避障系统的BP遗传神经网络程序,分析不同网络模型下的控制误差。结果可知:基于BP算法的避障神经网络模型具备良好的学习能力;集合两种方法的优点,对轨迹进行不断调整,达到避障的目的。     

汽车电子控制器嵌入式自动化测试系统的开发设计

随着科学技术的不断发展,汽车电子技术水平也有了很大程度的提升,汽车电子电器的应用数量也在不断增长,同时,其应用的复杂程度也在不断地增加。传统人工电子测试已经越来越无法满足汽车电子电器的测试要求,逐渐暴露出效率低下、技术性不高、可靠性不足等缺陷。建立汽车电子控制器嵌入式自动化测试系统能够有效弥补传统测试的缺陷,对提高汽车电子电器功能测试的测试效率与准确度有着重要意义。本文介绍了嵌入式自动化测试系统,重点分析与探讨了汽车电子控制器嵌入式测试系统的开发与设计中存在问题和过程研究,提出了开发设计中应当注意的具体事项。