ZnO一维纳米材料的热蒸发法制备及光学性能研究

以Zn粉为原料,在1050℃空气气氛中采用热蒸发法成功制备了ZnO一维纳米材料.探讨了覆盖瓷舟对ZnO纳米晶的形成及其形貌和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)分析表明,产物是纯六方纤锌矿结构的ZnO;扫描电子显微镜(SEM)形貌观察显示,产物为ZnO纳米线、微纳米棒和四角针状ZnO;光致发光谱(PL)表明ZnO一维纳米材料主要有3个蓝光发光带;紫外-可见光光谱(UV-vis)显示ZnO一维纳米材料能有效的催化降解次甲基蓝溶液.     

退火温度对ZnO薄膜结构及光学性能影响

以二水醋酸锌为原料,使用溶胶凝胶法在玻璃基体上旋涂氧化锌薄膜.用X射线衍射、室温光致发光、可见分光光度计等方法对薄膜的结构、光学特性进行了研究,同时结合AFM和分光光度计,讨论了不同退火温度对氧化锌薄膜结构,透光率的影响.结果表明随着退火温度的升高,ZnO薄膜衍射峰增强,其中在500 ℃时,(002)峰最强,即沿C轴的取向性最好,晶粒尺寸依次增大,其中500-550 ℃时,晶粒尺寸比较小且分布均匀,平均粒径40 nm,表面粗糙度最小,小于8 nm;退火温度为550 ℃时,ZnO薄膜的透光率最高,达96%以上.并在380 nm附近有很强的紫外发射峰.     

新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

介绍了新型TFT-LCD黑矩阵细线化研究。在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果。实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5μm。在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5μm。通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0μm,达到5.0~5.5μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求。     

ZnO纳米棒水热法制备及其发光性能

采用水热法在玻璃基底上成功制备出了ZnO纳米棒.用x射线衍射仪(xRD)和扫描电子显微镜(SEM)对ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,初步探讨了ZnO纳米棒的生长机理;同时对ZnO纳米棒的光致发光性能进行测量,分析了水热温度和反应时间对ZnO纳米棒光致发光性能的影响.结果表明:ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,具有沿(002)晶面择优生长特征;随着水热反应温度的升高,ZnO纳米棒的发光强度逐渐增强;随着反应时间的延长,ZnO纳米棒发光强度在1～3 h内增强,而在3～10 h反而减弱.     

表面活性剂、pH对ZnO光致发光及光催化性能的影响

采用水热法制备了不同表面活性剂、不同pH值的ZnO。讨论了不同表面活性剂与pH值对ZnO光致发光及光催化性能的影响,同时研究了光催化时间对ZnO光催化性能的影响。结果表明：在反应温度180℃、pH=14下生成的ZnO（SDS）的平均粒径最小,为052um,光致发光性能较好,对次甲基蓝的催化降解作用最好,135min后降解率达到100％。