基于GaAs pHEMT工艺的L波段高线性度混频器

采用0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一款L波段无源高线性度混频器。混频器由片上无源巴伦、本振驱动放大器及无源双平衡混频器核心组成,芯片尺寸为3.1 mm×2.1 mm×0.1 mm。测试结果表明,本振输入频率为800～1 000 MHz,射频输入频率为960～1 080 MHz时,相应的中频输出频率为0.1～250.0 MHz,变频损耗为9.5 dB,输入1 dB压缩点为19 dBm,功耗为0.24 W,单边带噪声系数小于11 dB,3个端口之间的隔离度都在33 dBc以上。