硅烷法制备非晶硅粉的晶化研究

研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律。对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化,用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和紫外可见吸收谱（UV）进行分析。结果表明：当退火温度高于750℃,硅粉开始晶化;温度低于750℃时,硅粉较难结晶。通过Scherrer公式计算,结合SEM和UV验证表明：750℃时,非晶硅粉晶化并不完全,退火后颗粒大小约为200nm。紫外可见光谱分析得到退火后光学带隙为1．5eV左右。     

CTAB/醇/水体系制备碳酸锰的性质研究

以CTAB／醇／水为反应体系制备碳酸锰。SEM照片显示：该体系得到的碳酸锰为分散性良好、尺寸均匀、直径约1μm的球体。XRD、EDS和FTIR表征结果表明，在这种特殊体系中。制备出了表面活性荆与超微米级碳酸锰的复合体系。吸油值测定结果袁明：经正丁醇与CTAB体积比为1：4体系得到的碳酸锰粉袁面亲油性能得到明显政善。     

硅烷法制备非晶硅粉的晶化研究

研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律.对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)进行分析.结果表明当退火温度高于750℃,硅粉开始晶化;温度低于750℃时,硅粉较难结晶.通过Scherrer 公式计算,结合SEM和UV验证表明750℃时,非晶硅粉晶化并不完全,退火后颗粒大小约为200nm.紫外可见光谱分析得到退火后光学带隙为1.5 eV左右.     

硅烷流量对硅烷热CVD法制备纳米硅粉的影响

纳米硅粉的制备方法很多,但采用硅烷（SiH4）热CVD法制备纳米硅粉较于其它方法有很多优势。文章研究了在特定的温度和压力下硅烷流量对硅粉制备的影响,并对制得的硅粉进行XRD、SEM和粒径分析表征,从而获得硅烷热CVD法制备硅粉一些关于硅烷流量等关键控制参数,为该法多参数优化控制以及将来的大规模工业应用做准备。     

醇类添加剂对碳酸钙形貌及晶型的影响

在醇类添加剂下,采用液相直接沉淀法制备不同晶型和形貌的碳酸钙颗粒。用粉末X-ray衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）分别对产物晶型和形貌进行表征。结果表明：在不同的醇类添加剂、浓度及反应温度下会生成不同晶型和形貌的碳酸钙颗粒,有立方体、球形、针状、花状等。乙醇与丙三醇的添加易于生成球霰石;添加剂浓度较低时有利于形成多种形貌碳酸钙晶体;较高的反应温度有助于文石的生成。