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采用冷压陶瓷技术制备(Ba1-xHox)(Ti1-xHox)O3（简称BHTH）陶瓷. 通过X射线衍射（XRD）、电子顺磁共振（EPR）和介电温谱技术研究了BHTH陶瓷的结构、位占据和介电性质. 结果表明：Ho3+离子在BaTiO3陶瓷中能够形成自补偿模式,且具有轻微的Ba位占据倾向. 在BHTH陶瓷中,固溶度为x = 0.03. BHTH陶瓷的介电行为表现出一个反常现象：随着x从0.01增至0.03,居里温度TC向高温移动,即TC从128℃升到131℃. BHTH晶体结构的四方度（c/a）随着x增加是TC向高温移动的主要原因. 相似文献
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