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研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗(GMI)效应。结果表明,在低频脉冲电流下,巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z/Z先随退火电流密度的增加而增强,当电流密度为104A/mm^2时,△Z/Z达到最大值53.8%,此后随电流密度增大,GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响,发现HK有利于提高GMI效应的峰值,但同时存在一个临界值,当超过这个值时,GMI效应的峰值减弱。 相似文献
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研究了钴基非晶丝材料显示的应力电阻抗 (SI)效应。结果表明 ,淬态钴基非晶丝在其两端受到外加轴向压力作用下可呈现显著的应力电阻抗效应 ,它与驱动电流频率及幅值均有关 相似文献
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介绍一种新型磁场传感器.它采用的敏感材料为非晶态合金软磁材料,这种线性磁场传感器具有体积小、结构简单、灵敏度高等特点. 相似文献
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非晶态合金力传感器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了我们研制的一种新型的力传感器,该传感器用非晶合金薄带作为敏感材料,多谐振荡回路作为传感器电路。它是一种精确、可靠、敏感、线性的力传感器,该传感器可用于高温、高噪音环境下的机械系统中,如工业自动控制上。本文给出了该传感器的工作原理,材料的制作方法及测试结果。 相似文献
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钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm。短时矩形脉冲电流退火30s,通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励,最大阻抗变化率为34%,磁场灵敏度约为45%Oe。分析了传感器工作原理,设计了传感器电路,通过参数的优化和电流负反馈设计提高了传感器的分辨率、线性度、灵敏度和测量范围。设定测量范围为-2.5~+2.5A时,传感器测量精度为0.45%,灵敏度为0.67V/A 相似文献
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非晶合金带巨磁阻抗效应新型磁传感器研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了非晶合金带巨磁阻抗(GMI)效应的产生机理,对样品进行脉冲电流退火,获得了显著的GMI效应。实验分析了样品阻抗变化率随外加磁场、样品最大阻抗变化率随激励电流频率的变化关系。通过优化工作参数,提高了传感器的灵敏度、线性度和量程。在样品上均匀绕400匝线圈,以提供偏置磁场,将传感器的工作点移至线性区域。室温环境下,在激励电流频率f=1 MHz、有效值Irm s=25 mA、测量范围为±10 A/m时,传感器的测量精度优于0.96%,灵敏度为16.5 mV/Am^-1,在弱磁检测领域具有很好的应用前景。 相似文献
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炉内等温退火法制得的纳米晶合金F e73.5Cu1N b3S i13.5B9环形磁芯,由于在退火过程中材料内应力得以充分驰豫释放,使其具有高的磁性能温度稳定性及高的磁灵敏度,特别适合于制作对微弱电流进行测量的传感器。利用纳米晶合金材料作为敏感材料,提出了采用单纳米晶磁芯双绕组结构,多谐自振荡励磁,可进行非接触检测微弱电流的新型传感器。建立了传感器的数学模型,从理论上分析了传感器工作原理,该理论与实验结果很好地吻合。并利用傅里叶变换对桥路输出信号进行分析,指出了传感器信号调理电路的设计方法。 相似文献
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MCS—51与IBM—PC机的串行数据通讯 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种单片机与IBM-PC机进行串行通讯的方式;用于工业控制系统的中心控制微机与现场单片机的为数据交换。 相似文献
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非晶丝微磁化线圈磁电阻抗效应研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了铁基及钴基非晶态合金丝在由微磁经线圈所产生的轴向交变磁场的作用下所呈现的磁电阻抗效应,经出了一些测试结果,结果表明,微磁化线圈两端的电压信号峰-峰值随轴向外磁场He的增加而单调减少,钴基非晶丝可呈现巨磁电阻抗效应,利用该效应可制成新型磁敏元件及器件。 相似文献