介电常数失配对InAs/GaAs应变量子阱中浅施主结合能的影响

研究了介电常数失配对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中浅施主结合能的影响。在有效质量近似下，利用变分方法计算了结合能随阱宽和杂质位置的变化。计算结果表明，介电常数失配对结合能的影响很大，这与前人的工作相符合，但晶格常数失配产生的应变对结合能的影响很小，并可以忽略。     

介电常数失配对InAs／GaAa应变量子阱中浅施主结合能的影响

研究了介电常数失配对ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱中浅施主结合能的影响。在有效质量近似下，利用变分方法计算结合能随阱宽和杂质位置的变化。计算结果表明，介电常数失配对结合能的影响很大，这与前人的工作相符合，但晶格常数失配产生的应变对结合能的影响很小，并可以忽略。     

Ball-milling-induced polytypic transformation of 6H-SiC→3C-SiC

The results of X-ray diffraction (XRD) and high resolution electron microscopy (HREM) show that ball milling at room temperature can induce the polytypic transformation of 6H-SiC→3C-SiC. HREM study reveals that a large number of partial dislocations which play an important role in the transformation can be introduced into SiC crystals during BM by the instant and repeated collisions between balls and powder. The phase transformation follows the route: 6H= (3~ ,3~-)→(4~ ,2~-)→(5~ , 1~- )→(6~ ,0~- ).     

热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究

本文报道了首次用热壁外延（ＨＷＥ）方法，在Ｓｉ（１００）衬底上，制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果．由Ｘ－射线衍射谱确认，ＰｂＴｅ外延层是单晶，Ｉ－Ｖ曲线表明，该异质具有良好的整流特性．由Ｃ－Ｖ测量得到异质结的内建电势差．最后算出能带偏移．     

多孔硅形貌的观测与生长机理分析

本文在实验基础上，对于多孔硅的形成形貌学进行了研究，用日立Ｓ－７５０型扫描电镜观测了不同条件下生长的多孔硅的正面和侧面孔的形貌。对得到的实验结果进行了较为详细的分析，为进一步研究多孔硅在半导体器件方面的应用提供了一定的基础 。     

应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)的电子结构

本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)(n=1)的电子结构。计算了两种应变组态(赝晶生长,Free-Standing生长)下超晶格总的态密度,各原子的局域和分波态密度。我们发现:带隙E_g、费米能级E_f和原子价随应变的变化而变化;(ZnSe)_(2n)/(ZnS_xSe_(1-x))_(2n)超晶格中离子键和共价键共存;电子在界面附近发生了转移。     

掺杂超晶格——Si-nipi结构中的电子态

本文在紧束缚近似的基础上,考虑了Ando处理二维多体问题时来用的Hohenberg-Kohn-Sham局域密度泛函理论,计算了一种具有锯齿形式的新型材料Si-nipi多层结构系统的电子基态和激发态.计算结果表明,在同样的掺杂浓度和外界激发下,Si-nipi材料比GaAs-nipi材料的有效能隙更窄,低亚导带间能量间隔随自由载流子浓度n~(2)变化的速率是GaAs-nipi 材料相应值的 1/2.当选择n_D=n_A=1.85 ×10~(19)cm~(-3),d=400A以及 d_n=d_p=40A时,可使有效能隙E_(?)~(eff,si)在0.1-0.2eV之间变化.从理论上证明了,Si掺杂超晶格可成为一种具有可变载流子浓度和可变能隙的新型人造材料.     

球磨诱导6H-SiC→3C-SiC转变的HREM观察

ＳｉＣ是典型的多型化合物，其多型体的生长规律及相互转变规律一直是材料科学工作者关注的问题。Ｐｉｒｏｕｚ等［１］报道了压痕压缩诱导６Ｈ－ＳｉＣ→３Ｃ－ＳｉＣ的转变，其转变温度在１０００℃以上。本文报道了在远低于１０００℃的室温球磨条件下６Ｈ－ＳｉＣ→３...     

化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构

本文用紧束缚方法计算了化合物半导体AlSb、ZnSe和CdTe的能带结构及CdTe的状态密度.计算中采用了每原子四个s-p指数衰减轨道为基函数和经验赝势哈密顿.与Cohen等的精确结果相比较,发现:对AlSb,调整指数衰减常数,可以得到符合较好的导带、价带、带宽和带隙;对ZnSc和CdTe,则得到符合较好的价带和正确的能带图象,但导带的能量误差稍大些.