复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.     

人造纤维工业的节能

人造纤维生产中的主要能源是水、电、汽的消耗,主要工序的能耗是原液、纺丝、后加工三大部分。据日本尤尼契卡公司宇治工厂人纤部门统计,人纤各工序的耗能比为:     

超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

粘胶长丝染色均匀性对织物后加工的影响

离心法纺制粘胶长丝的不均匀性,尤其是染色不均匀性及其产生的主要原因在一些文献中已进行了较全面的论述。这些原因主要在于离心纺丝法本身以及丝条在成形、后处理和干燥阶段松驰不均匀等因素所致。在以往的许多研究中,倾向于在丝饼中     

PET工程塑料的生产与应用

一、概况聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)以前多作为纤维使用(即涤纶纤维),随后用于生产 PET 薄膜及聚酯瓶等,其实,它还是一种优良的工程塑料。1965年日本帝人公司开发研制 PET 玻纤增强工程塑料获得成功,引起了人们高度重视,世界上各主要 PET 生产公司竞相投入 PET 改性的研究,但是由于在成型加工上存在困难,一时未能得到很大的发展。这主要是因为在通常的模具温度下,玻纤增强 PET 的结晶速度太     

基于压缩感知的链型无线传感器网络节能数据收集

无线传感器网络(WSNs)中节点受体积、功率、成本等限制而导致了节点能量、生命周期有限的问题.提出一种基于压缩感知算法的无线传感器网络节能优化方法,并结合无线传感器网络中的链型拓扑网络模型,给出基于压缩感知理论的节能网络数据传输模型.通过理论分析比较表明压缩感知方法在节能方面的优越性,然后在得出的网络能耗模型的基础上进行仿真.仿真结果表明:压缩感知方法有效减少了网络能耗.     

基于预测模式蚁群优化的传感网节能路由机制

面向传感器网络中时间序列数据的时域关联性特征,针对网内数据流量不均衡分布模式所导致的传输能耗漏斗效应问题,提出了基于预测模式的能量感知数据路由机制。机制的设计结合了蚁群优化机理自适应网络状况动态性的优势和预测模型揭示数据流量变化规律的优势,通过将节点负载因子引入蚁群优化算法中启发式因子的构造和局部信息素更新规则的设计,赋予蚂蚁代理在路由解空间探索中预知网络局域能量状况的能力,提高了数据路由构建的自适应性和能量均衡性。实验表明,论文提出的面向预测模式的路由机制,通过引入蚁群优化机理和挖掘数据内涵的时域关联性,有效降低和均衡了数据路由能耗。     

一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型

从数值解源端和饱和点的表面电势出发,考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型．同时包含了深亚微米SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应（DIBL）、速度饱和效应、自热效应等．这个模型的参数相对较少并且精确连续,能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求．     

纳米MOS器件中的超浅结和相关离子掺杂新技术的发展

MOS器件特征尺寸进入纳米领域时如何形成超浅结是一个重要的挑战。文中讨论了纳米 MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求以及发展超浅结的主要途径 ,介绍了目前超浅结离子掺杂新技术的最新发展 ,并对其前景进行了展望。     

电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化理论

通过对临界击穿电场近似得出的穿通限制击穿电压的分析 ,提出了电导调制型功率器件用穿通结构的基区优化设计解析理论 :对于电导调制功率器件用的各种穿通结构 ,只要其耐压基区的厚度选择为同衬底浓度突变结击穿时的耗尽层宽度的最佳分割长度 ,即穿通因数 F等于4,就可使外延基区的厚度为最小 .同时 ,该耐压基区的击穿电压为最大 .运用该理论的结果 ,得出了此类应用的基区优化设计公式 ,并将计算结果与一些文献的设计值进行了比较 ,纠正了先前计算的不准确性 .