高功率1.55μm半导体激光器

1 .55μm半导体激光器有很多突出的优点 ,但普通的双异质结激光器功率小 ,且对温度很敏感。本文将大光腔结构形式引入 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器中 ,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过 2W的 1.55μmGaInAsP/InP半导体激光器。普通双异质结构激光器特征温度T0 为 50～ 70K[1] ;而本文研制的大光腔结构为 10 0～ 140K。激光器的寿命超过 10 0 0h     

1.3微米铟镓砷磷大光腔半导体激光器

本文介绍了我们研制的1.3微米波长铟镓砷磷大光腔结构半导体激光器的制作及其部分主要光电特性。该器件由于采用大光腔结构,脉冲输出峰值功率大于5瓦,阈值电流密度低于2700A/cm~2工作寿命大于1000小时。     

1.3 μm和1.55 μm GaInAsP/InP阵列激光器

GaInAsP/InP系列激光器由于其T0 小 ,且受环境温度影响大 ,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。而采用大光腔 (LOC)结构的激光器 ,其T0 值可达 10 0～ 140K ,单个 1.3μm激光器 ,脉冲峰值功率超过 3W ,单个 1.55μm激光器 ,脉冲峰值功率超过 2W。用它们的芯片研制了堆积阵列激光器。在研制中发现 ,阵列的输出功率小于各单元器件输出功率之和 ;而减小的比率随着单元数目增加而增加。所制成的 3× 4单元的 1.3μm阵列激光器 ,其脉冲峰值功率大于 2 4W ;4× 4单元的 1.55μm阵列激光器的脉冲峰值功率大于 2 0W。     

光电尺寸高速检验仪的光学设计

本文介绍了光电尺寸高速检验仪的光学系统的结构形式选择和设计思想。经两年多试验,由于远心投影物镜质量较好,在1.5×到2.5×以至在5.4×均达到予期的测量精度,证明光学系统符合仪器要求。     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器,着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系列激光器。由于它们的Ｔｏ小,受环境温度影响大,用一般结构作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器。它的Ｔ０值可达１００￣１４０Ｋ,单个１．３μｍ激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ（瓦）,单个１．５５μｍ激光器,脉丫峰值功率超过２Ｗ。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现,列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和;而减步的比率随着     

堆积式列阵半导体激光器

本文介绍堆积式列阵半导体激光器, 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小, 受环境温度影响大, 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器, 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ, 单个１－３μｍ 激光器,脉冲峰值功率超过３ｗ （ 瓦）［ １］ , 单个１－５５μｍ 激光器, 脉冲峰值功率超过２ Ｗ［ ２］ 。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现, 列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和; 而减小的比率随着单元数目增加而增加。我们制成３ ×４ 单元的１－３μｍ 列阵激光器, 其脉冲峰值功率大于２４ Ｗ; ４ ×４ 单元的１－５５μｍ 列阵激光器, 它的脉冲峰值功率大于２０ Ｗ。     

讨论用CCD作尺寸自动检测的问题

本文讨论应用 CCD 作为尺寸自动检测中的三个问题:1.在直接测量中工件到 CCD 距离 L 和光束孔径角 u 及节距 q 之间的关系;2.远心光路中物体移动时像平面上光斑直径的表达式,讨论脉冲当量、允许物距误差、光束孔径角的关系;3.讨论远心投影物镜像差和 CCD 节距的关系,给出远心投影物镜校正像差的依据。     

子弹壳尺寸高速光电自动检验仪的光学系统分析和设计

本自动检测仪是光，机，电，算相结合的非接触式高速自动测量弹壳长度和底部直径的仪器。本文介绍了光学系统的设计，包括光路的选择；光源和有关参数的选取和计算。