三异丙氧基铝的制备及催化机理

本文介绍了采用新的原料予处理方法合成三异丙氧基铝，并且选择更为合理的工艺手段精制产品，同时探讨了产物的催化合成机理。     

城区分布式风力发电风能资源评估技术及方法探析

与山地、草原以及开阔平原相比,城区或工业区的建设规划和建筑物本身的外形更为复杂多变,风流受到建筑物影响而产生的各种扰动使得风流模拟更为复杂困难,如高层建筑周围的狭管效应以及湍流强度计算等。本文结合实际案例,采用计算流体力学技术(CFD)对复杂城区风流场进行分析,以期更好地了解其风流属性,为风能评估、风电机组选型及选址奠定基础。     

硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨

本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验.对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析.通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵.其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术.     

拉拔条件下GFRP筋与混凝土粘结强度试验研究

采用Canadian Standards Association(CSA)标准规定的拉拔试验方法,考虑GFRP筋的种类、组分、直径、表面处理方法、肋间距、肋高度、肋宽度等因素,对GFRP筋与混凝土之间的粘结强度进行了试验研究。研究结果表明:试件的粘结破坏有筋表面变形的剪切、变形的脱落和肋间混凝土被剪碎三种形式;GFRP筋与混凝土的粘结强度低于钢筋与混凝土的粘结强度,大约为钢筋与混凝土粘结强度的65%~87%;GFRP筋的种类、直径、表面处理方法、肋高度、肋间距和肋宽度等因素对粘结强度的影响显著,但GFRP筋组分的影响不大;当肋间距为GFRP筋直径、肋高度为GFRP筋直径的6%时,GFRP筋与混凝土的粘结强度最高。     

玻璃纤维增强复合材料筋肋参数优化试验研究

利用拉拔试验对玻璃纤维增强复合材料(GFRP)带肋筋与混凝土的粘结性能进行试验研究,并对筋的肋参数进行优化。自行设计了 30种不同肋参数的GFRP带肋筋,试验变量包括筋直径、肋高度和肋间距。在此基础上,制作了90个标准拉拔试件,分别测试了 GFRP带肋筋的粘结强度和加载端滑移,得到了相应的粘结-滑移曲线;根据肋参数的优化准则对各种GFRP带肋筋的粘结-滑移曲线进行分析,确定GFRP带肋筋的最佳肋参数。试验结果表明:肋参数对GFRP带肋筋与混凝土的粘结性能影响显著;GFRP带肋筋的最佳肋间距为筋直径的1倍,最佳肋高度为筋直径的6 %,即最佳肋高度与最佳肋间距的比值为0.06。      

用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术

为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1％的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81％的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能.     

电流密度对光电化学腐蚀宏孔硅阵列形貌的影响

宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔,引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构,本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验,重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流,实现了理想的MSA等径生长,制备出孔深度为295m,长径比为98的MSA结构。     

光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道

在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流.研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线.根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系.根据腐蚀后的暗扫描I-V曲线计算出暗电流密度.与腐蚀电流密度相比,阴离子表面活性剂的暗电流可忽略不计,进而获得了腐蚀电流修正曲线.根据腐蚀电流修正曲线,通过控制光照强度制备出高长径比(大于60)的等径硅微通道阵列.对修正的腐蚀电流进行调整,制备出通道尺寸空间周期性变化的硅微通道结构.研究结果可为高长径比硅微通道的制备提供技术方法.     

高效连续Nd：LuVO4- BiBO深蓝激光器

Nd：LuVO4晶体因具有相比于Nd：YVO4和 Nd：GdVO4晶体更大的吸收和发射截面而受到广泛关注。一种高效的泵浦方式因此而产生：将Nd3+离子直接泵浦到4F3/2激光上能级来改善激光器参数,不仅可以减小激光器的阈值,提高激光器的斜效率,并且可以降低非辐射跃迁过程中所产生的热量。利用888 nm激光二极管直接泵浦Nd：LuVO4晶体,实现了准三能级Nd：LuVO4激光器。当入射泵浦功率为18.6 W时,916 nm 的输出功率为2.5 W,激光器的阈值功率为4.7 W,相应的斜效率为17.8%。入射泵浦功率不变的情况下,获得的最大蓝光输出功率为743 mW。蓝光输出功率的稳定性高于3%。光束质量M2的值为1.12。     

Influence of voltage on photo-electrochemical etching of n-type macroporous silicon arrays

The influence of voltage on photo-electrochemical etching(PEC) of macroporous silicon arrays(MSA) was researched.According to the theory of the space charge region,I-V scan curves and the reaction mechanism of the n-type silicon anodic oxidation in HF solution under different current densities,the pore morphology influenced by the working voltage were studied and analyzed in detail.The results show that increasing the etching voltage will lead to distortion of the pore morphology,decreasing etching volta...