背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n 太阳光盲紫外探测器成

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n 太阳光盲紫外探测器. 从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω. 器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98e11cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.     

InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究

研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸(3.5g)∶H2O2(4mL)∶HF(1mL)∶H2O(400mL),刻蚀速度约为0.5μm/min。     

背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器

在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一.     

基于微信云开发的趣味游戏策划与设计——“大词吃小词”背词轻游戏

本文从游戏策划、软件设计、系统实现三个方面阐述了“兴味学”小程序内趣味背词模块—“大词吃小词”轻游戏。本游戏是在互联网环境下依据“信息加工理论”基于微信云小程序研发的一款学习软件。根据功能将小程序划分为单词库、同桌背词、趣味背词、双人对战四部分。本文通过“轻游戏”开发以及对学习内容进行了合理的加工,以期达到激发学生学习动机的目的。     

退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响

研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响.研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaN P-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1 A/cm2降为5.7×10-5 A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性.分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关.     

ITO/HgInTe肖特基的光电特性

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率.为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层.运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2 In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的,I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论.结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HglnTe的肖特基势垒高度为0.506 eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2 600 Ω;In/HgInTe形成欧姆接触.并且发现了在波长1.55 μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1.     

他莫昔芬诱导非酒精性脂肪肝的机制研究进展

选择性雌激素受体拮抗剂他莫昔芬目前在临床上乳腺癌术后内分泌治疗的应用中最为广泛,然而,越来越多的证据显示他莫昔芬可大大提高乳腺癌患者非酒精性脂肪肝的发病风险。目前关于他莫昔芬造成肝脏脂毒性的研究并不详尽,其造成非酒精性脂肪肝的具体机制仍不明确,本文对他莫昔芬诱导非酒精性脂肪肝这一现象及其机制研究进展进行综述,为后续深入探索其机制及研发治疗药物提供参考。     

退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响

研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明，合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触，同时又能显著降低AlGaN P-I-N二极管的反向漏电流，反偏压5V时，暗电流密度由2.0×10-1A／cm2降为5.7×10-5A／cm2，串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ，从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性。分析认为这与退火改善接触电极特性，同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关。     

Al0.3Ga0.7N MSM紫外探测器研究

用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器.器件在5.3 V偏压时暗电流为1 nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1 V偏压下305 nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023 A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度.为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n～1.05,零偏势垒高度φB0～1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想.     

高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

制备了高Al组分AlxGal-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化.计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度.退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689 eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2.