二氧化钒薄膜制备研究的最新进展

VO2在68℃附近发生从高温金属相到低温半导体相的突变,且相变可逆。由于相变前后其电、磁、光性能有较大的变化,使得它在光电开关材料、存储介质、气敏传感器和智能玻璃等方面有着广泛的应用。然而由于VO2稳定存在的组分范围狭窄,使得制备高纯度VO2薄膜较为困难。为此人们做了很多工作来研究VO2薄膜的制备。本文综述了2000年以来VO2薄膜制备方法的研究情况,比较了各种制备方法对薄膜性能的影响,介绍了VO2薄膜研究的最新研究进展,并为扩大其应用领域而探讨了今后的研究方向。     

水镁石粉湿法超细制备和表面改性一体化研究

由于粉体在进行超细粉碎后，比表面积增大，表面能升高，颗粒极易团聚，在进行表面改性后，所得粉体有很多大颗粒团聚体。运用行星式高能球磨机，在球磨过程中加入助磨剂，促进颗粒的分散，同时加入表面活性剂，将粉体进行表面改性，一改以前将粉体超细后再进行表面改性，避免了粉体的二次团聚。使用激光粒度分析仪、扫描电子显微镜（SEM）、接触角测定仪等现代分析检测技术对粉体的粒径、形貌和表面性质进行了表征。结果表明，这种超细和改性一体化的处理方法能显著降低水镁石粉的粒度分布并使其形貌均匀，在研磨20min后粉体粒径就降到0．51μm以下，改性后的粉体活化指数高。