缺陷光子晶格局限光现象的研究

利用成像法在自散焦LiNbO3:Fe晶体中诱导出了线形缺陷结构的(2+1)维光折变光子晶格,并发现该缺陷晶格对光波具有一定的局域作用。又对三角与四方点阵缺陷晶格的局域光能力作了对比,结果显示三角点阵缺陷晶格的局域光能力要更好一些。最后,根据光子带隙理论对晶格局限光的现象进行了初步的解释。这对光子晶体的进一步研究与应用有一定的意义。     

光折变光子晶格带隙展宽的实验研究

本文利用振幅掩模的傅里叶变换法在LiNbO3:Fe晶体中制作了一维光子晶格,通过连续旋转晶体,由功率探测器测得透射率,绘出Bragg带隙曲线.分析了用两孔振幅掩模制作的光子晶格的带宽、位置,讨论了在孔间距为6mm条件下,振幅掩模孔的数目由3个增加到5个的带隙情况,由实验观察发现了奇特的现象:衍射光的数目由2个增加到4个...     

胶合透镜法在LiNbO3：Fe晶体中制作光折变光子晶格

研究了一种制作光折变光子晶格的新方法——胶合透镜法。利用此方法在LiNbO3：Fe晶体中成功的制作了一维和二维光折变光子晶格。同时,对实验现象和实验原理进行分析得到,此种方法不仅可以得到较大面积的干涉区域从而可以制作出较大面积光折变光子晶格,此外这种方法可以实现晶格周期的连续调节,进而可以根据需求制作不同周期的光折变光子晶格。在实验中也验证了这种方法的优点与可行性,这对光子晶格的制作与研究有一定的意义。     

掩膜成像法在LiNbO_3:Fe晶体制作缺陷态光子晶格

在用掩膜法制作光子晶格的实验中,我们分别在薄、厚LiNbO3:Fe晶体中成功地制作了带有缺陷的(2+1)维光折变光子晶格且比较了二者的异同,并结合透镜成像的相关理论找出了造成这些异同的因素,又对这些因素做了详细的分析。这对更好的利用掩膜成像法制作光折变光子晶格有一定的指导意义。     

胶合透镜法在LiNbO_3:Fe晶体中制作光折变光子晶格

研究了一种制作光折变光子晶格的新方法——胶合透镜法。利用此方法在LiNbO3∶Fe晶体中成功的制作了一维和二维光折变光子晶格。同时,对实验现象和实验原理进行分析得到,此种方法不仅可以得到较大面积的干涉区域从而可以制作出较大面积光折变光子晶格,此外这种方法可以实现晶格周期的连续调节,进而可以根据需求制作不同周期的光折变光子晶格。在实验中也验证了这种方法的优点与可行性,这对光子晶格的制作与研究有一定的意义。     

弱近红外光诱导LN晶体光折变现象调制度的实验研究

利用毫瓦级的近红外光辐照掺铟铁铌酸锂晶体,在晶体中发生了光折变效应,通过单马赫-曾德干涉仪的条纹摆动幅度测得了掺铟铁铌酸锂晶体的变化量△n可以达到10-4数量级,并对实验数据进行了数值模拟,得到了折射率变化图;在理论上,利用倍频理论成功的解释了近红外光折变现象,并对折射率变化量进行了数值模拟。可以发现,实验和理论得到了很好的符合。     

光折变缺陷光子晶格的局域光特性研究

以交叉相位法为基础,分别在LiNbO_3:Fe晶体中构造了带有微米量级线缺陷的四方和三角的12μm×12μm光折变光子晶格,并且重点研究了在不同类型和不同的实验条件下的光折变光子晶格中线缺陷的能否局域光的特性。     

片光法构造缺陷态光折变光子晶格

实验上利用四孔的掩膜和柱透镜成功的在LN晶体中构造了不同类型的缺陷态光折变光子晶格,发现当缺陷的写入角度与c轴垂直时,写入的缺陷最好,平行时最差,并描绘了折射率随时间变化曲线,发现写入时间为40分钟时为最佳写入时间。推导了四孔掩膜的电磁场分布并在理论上模拟了四孔掩膜和柱透镜的空间光场分布,验证了此方法的可行性,这对缺陷态光子晶格的研究和应用有一定的意义。     

二维网状光折变光子晶格的构造与研究

利用交叉相位法,辐照两个带有15个孔相互正交的振幅掩膜,成功地在LiNbO3∶Fe晶体中构造了二维网状光折变光子晶格。分析了掩模孔间距、写入时间及入射角度等实验条件对写入光子晶格的影响。分别推导了两个掩膜的空间电磁场分布并在理论上进行了叠加和数值模拟,结果和实验符合的很好,这对光子晶格的应用和研究有一定的意义。