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采用溶剂热法和溶胶–凝胶法制备磁性介孔As(Ⅲ)吸附剂Fe3O4@SiO2@Ce-ZrO2。该核壳结构材料具有高比表面积(168.2 m2/g)和快速磁分离性能(5.37 A·m2/kg)。与Fe3O4@SiO2@ZrO2相比,Ce掺杂样品的As(Ⅲ)平衡吸附量提高12%-23%(pH3-11),这主要归因于双金属M—O—As配合物的形成。共存的SO42-和PO43-会削弱As(Ⅲ)的吸附,Ca2+对除As(Ⅲ)有积极作用,而Cl-和NO3-的影响很小。在初始As(Ⅲ)浓度5mg/L、313K和pH中性条件下,As(Ⅲ)最大吸附容量可达24.52 mg/g。准二级模型对As(Ⅲ)吸附动力学数据的拟合效果良好。此外,吸附... 相似文献
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建立固体酸催化体系机理层面动力学模型,难点在于其反应体系的复杂性。反应体系具有数目庞大的反应组分和基元反应,导致了反应网络规模和动力学参数计算难度的增大。笔者综述了机理层面动力学模型反应网络构建和参数估算的基本依据和简化方法,列举了具有代表性的研究方法,认为建立机理层面动力学模型具有更重要的实际应用价值。 相似文献
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采用高位阻β-二酮(1-(4’十二烷基)苯基-3-叔丁基-1,3-丙二酮)作为萃取剂从模拟印刷电路板(PCBs)蚀刻废液中萃取铜。利用离子强度与萃取反应平衡常数的关系校正模拟的萃取等温线,该模拟萃取等温线与实验测得萃取等温线基本相符。通过实验确定萃取剂浓度、相比、萃取级数和反萃级数等萃取工艺参数。结果表明,在室温下对于铜离子浓度为112g/L、总氨浓度为7mol/L的模拟氨性蚀刻废液的最佳萃取条件为:萃取剂浓度为40%,相比为5:4,萃取时间为5min。在此条件下,经过一级萃取,蚀刻废液中铜离子浓度可降低至63.24g/L,能返回到电路板的生产中循环使用。用含铜30g/L,硫酸浓度180g/L的模拟废电解液对负载有机相进行反萃,相比(O/A)为1:2,经一级反萃,铜的反萃率可达98.27%。 相似文献
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在深入研究环烷烃催化裂化反应机理的基础上,采用反应族的概念制定了针对单环环烷烃催化裂化反应规则,并结合量子化学计算建立了甲基环己烷分子水平的催化裂化反应动力学模型。在2种催化体系下的模型模拟结果表明,主要的反应产物摩尔流率的预测值与实验值吻合良好,模型的相关系数分别为0.92、0.82。回归得到了12类甲基环己烷催化裂化反应动力学参数值。该参数值可以用于其他环烷烃催化裂化反应体系,为进一步建立单环环烷烃催化裂化反应动力学模型提供数据支持。 相似文献
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