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在干法刻蚀GaN时使用SiO2作为掩蔽物,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/SiO2刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和Ar作为刻蚀气体,改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/SiO2刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响。实验结果获得了GaN在刻蚀速率为165nm/min时的GaN/SiO2选择比为8∶1。设备验收时GaN刻蚀速率为70nm/min,GaN/SiO2选择比为3.5∶1,可以应用于实际生产。 相似文献
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辞旧岁,迎新年,我们即将迈进充满希望、充满生机的羊年。 借此良机,我谨代表重庆新华多媒体发展有限公司,向全国各经销商、向新华光盘的用户,致以新年的问候和衷心的感谢,向与公司紧密合作的供应厂商、向一贯支持和关心公司发展的政府各级领导、社会各界人士、各位朋友致以 相似文献
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