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1.
以Si粉和Al2O3空心球为原料,采用反应烧结后高温烧结法制备了多孔β-sialon/Si3N4陶瓷。X射线衍射结果表明:在0.25MPa的氮气压力下于1300℃反应烧结2h后在0.25MPa的氮气压力下1700℃及1750℃高温烧结2h,制备的样品的组成为β-sialon(Si6-zAlzOzN8-z,z=3)及β-Si3N4,随着烧结温度由1700℃升高至1750℃,β-sialon的相对质量分数由29.9%增加至56.8%。场发射扫描电镜观察结果表明:1750℃高温烧结样品的显微结构由大孔β-sialon及疏松的β-Si3N4基体组成。1750℃高温烧结后,样品的气孔率为28%,抗弯强度为92.5MPa。  相似文献   
2.
张辉  何恩全  杨宁 《中国激光》2012,39(10):1007001-135
采用紫外脉冲激光沉积技术和高低温沉积工艺,在LaAlO3(100)平衬底及倾斜衬底上成功制备了c轴取向的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8[(Bi,Pb)-2212]薄膜;研究了在倾斜LaAlO3(100)单晶衬底上生长的(Bi,Pb)-2212薄膜激光感生热电电压信号与沉积条件及入射激光能量的关系。为避免(Bi,Pb)-2212薄膜被激光剥蚀或蒸发,还初步研究了MgO保护层对(Bi,Pb)-2212薄膜激光感生电压信号的作用,结果表明MgO层能够显著增强激光感生热电电压效应。  相似文献   
3.
采用了甘氨酸-硝酸盐法制备了La0.7Sr0.3Cr0.5-yMn0.5-zCo(y+z)O3(y,z=0.1,0.2)系列阳极材料。借助XRD,SEM对所制备的材料进行了物相和形貌分析。XRD表明利用GNP法制得的粉体在1350℃烧结5h可以形成完整的钙钛矿相;SEM分析可知所得物料颗粒呈球状,尺寸约为1μm,且没有团聚现象。同时,XRD显示La0.7Sr0.3Cr0.5Mn0.4Co0.1O3和La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3电解质之间具有较好的化学相容性。采用直流四探针法测试了不同组成材料在250~800℃温度范围内在空气中的电导率,发现该系列材料在该温度段范围符合小极化子导电机制。另外,利用直流四探针法测试了La0.7Sr0.3Cr0.5Mn0.4Co0.1O3在不同还原气氛下的电导率,在CH4和H2气氛中,La0.7Sr0.3Cr0.5Mn0.4Co0.1O3最大电导率分别达到了4.5和0.42S·cm^-1。  相似文献   
4.
张辉  何恩全  杨宁  张鹏翔  阮耀钟 《功能材料》2013,44(11):1642-1645,1650
用紫外脉冲激光沉积技术在单晶衬底上制备高温超导(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8薄膜,系统研究了不同镀膜参数对薄膜结晶质量的影响,获得了优化的镀膜工艺。并在较低温沉积、高温退火,以及高温沉积两种工艺下均获得了具有c轴取向、无杂相及无挥发(分解)的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8薄膜。相比于高温沉积,低温沉积、高温退火制备的薄膜结晶质量更好。  相似文献   
5.
在国际市场上电热器具的进出口量很大,美国年进口烤面包炉1200万台,电熨斗1500万只,卷发器1000万只,仅台湾出口到美国的电热电器金额每年就达3亿美元。德国年进口电熨斗220万只,电吹风610万只,法国年进口电熨斗300多万只,热水器50万只。  相似文献   
6.
The La0.7Sr0.3CryMnzCo(1-y-z)O3-δ samples were prepared by solid state reaction.The phases,microstructure and properties of the samples were investigated by XRD,SEM,DC four-probe method and iodometry method.The single orthorhombic phase La0.7Sr0.3CryMnzCo(1-y-z)O3-δ perovskite oxides were obtained when sintered at l350 °C for 10 h.The oxygen nonstoichiometry of the materials varied inversely with the total electronic conductivity.The sample with composition of La0.7Sr0.3Cr0.5Mn0.35 Co0.15O3-δ had the maximal total electronic conductivity and the lowest oxygen nonstoichiometry which were 22.4 S/cm and 0.040 at 850 °C,respectively.The low total electronic conductivity is related to the low relatively density of the samples directly.The activation energy of conduction changed at 550 °C,and the activation energy of conduction at high temperature(T550 °C) was higher than that at low temperature range(T550 °C).  相似文献   
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