基于边界混合重采样的非平衡数据分类方法

在非平衡数据分类问题中,为了合成有价值的新样本和删除无影响的原样本,提出一种基于边界混合重采样的非平衡数据分类算法。该算法首先引入支持k-离群度概念,找出数据集中的边界点集和非边界点集;利用改进的SMOTE算法将少数类中的边界点作为目标样本合成新的点集,同时对多数类中的非边界点采用基于距离的欠采样算法,以此达到类之间的平衡。通过实验结果对比表明了该算法在保证G-mean值较优的前提下,一定程度上提高了少数类的分类精度。     

中子辐照半绝缘SiC单晶的光学性质

利用荧光光谱、紫外-可见-近红外透射光谱和Raman光谱对经1.67×1020n/cm2中子辐照的半绝缘SiC的光学性质进行了研究。结果表明:中子未辐照的和辐照后退火温度低于1000℃的样品未出现任何发射峰;1200℃退火的样品在510、540和575nm处出现了3个绿色发射峰,其中,510和540 nm处的发射峰在经过1 600℃退火后依然存在。中子辐照导致SiC的截止波长由393 nm增大到1 726 nm;随退火温度提高,截止波长逐渐减小,并在1600℃退火后完全回复。Raman光谱显示:辐照诱发了许多新的振动模,如187、278、435和538cm-1处的Si—Si键振动模,600、655和709 cm-1处的Si—C键振动模和1419cm-1处C—C键振动模。辐照缺陷引起声子限制效应,表现为FTO2/6和FLO0/6Raman特征峰的不对称性展宽和红移。在低于1000℃退火阶段,主要表现为不对称性展宽和红移逐渐减弱;在高于1000℃退火阶段,主要表现为辐照产生的新Raman峰逐渐消失。     

中子辐照掺氮6H-SiC晶体的电学性能及退火的影响

在60～80℃用剂量为1.67×1020n/cm2的全能谱中子对掺氮6H-SiC晶体进行了辐照,对辐照样品从室温至1600℃进行了等时退火,研究了辐照和退火对样品电学性能的影响.大剂量中子辐照在晶体内产生了大量缺陷和损伤,并引起样品的电学性能发生变化,使电阻率升高、介电常数和介电损耗减小.测试表明:在辐照缺陷及其电学性能的退火演化过程中,存在约为1 000和1400℃两个特征温度.当退火温度低于1 000℃时,随着退火温度的升高,电阻率小幅增加,而介电常数和介电损耗亦下降;在退火温度高于1 000℃时,电阻率开始下降.在退火温度高于1 400℃时,电阻率急剧地下降,而介电常数和介电损耗快速地增加.以间隙原子和空位为缺陷的主要形式作为辐照损伤的模型,对上述现象做了定性解释.测试还表明,掺氮6H-SiC的介电常数高达3.5 x 104,这一奇特的物性主要来源于电子的长程迁移极化.     

中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析

利用透射电子显微镜、紫外--可见--近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67×1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究。结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体。辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710nm处出现新的吸收峰。1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi。对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点。低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭。为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的"类铍原子模型"。