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铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。 相似文献
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掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将Si Nx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m~2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%,电池效率衰减率为4.32%,再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%,表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧(B-O)复合体浓度分别为1.38×1011和7.01×1011cm~(-3),再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×10~(10)和4.44×10~(10)cm~(-3),再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级,且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。 相似文献
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采用能量为80eV的甲烷和氢气混合(1:5)离子束在700℃下辐照多壁碳纳米管得到了石墨纳米晶包覆多肇碳纳米管的复合物.扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察表明离子束处理后的多壁碳纳米管被一层粗糙的碳质层包覆.高分辨透射电子显微镜观察显示,该碳层由许多(002)面与碳纳米管管轴角度为45°~90°的石墨纳米晶构成,层内的多壁碳纳米管空腔结构基本不变.甲烷的高温和沉积可认为是石墨纳米晶结构形成的主因,而氢离子束对偏离其方向的石墨晶面的选择性刻蚀是导致最终沉积的石墨纳米晶晶面与纳米管管轴构成大角度分布的原因. 相似文献
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对于n-PERT电池,硼扩散是形成p-n结的关键工艺并且直接影响电池性能。为优化正面硼扩散掺杂层的性能,研究液态源(BBr3)扩散过程中推进温度和推进时间对硼表面掺杂浓度和结深的影响,并且结合PC1D的模拟结果,分析不同的正面硼发射极对n-PERT太阳电池性能的影响。研究结果表明,推进温度在950~970℃范围变化时,随着推进温度的升高,结深由0.4μm增加到0.63μm,硼表面掺杂浓度由4.3×1019cm-3增加到5.9×1019cm-3;推进时间由25 min增加到40 min过程中,结深由0.47μm增加到0.64μm,硼表面掺杂浓度有较小的下降;当发射极表面浓度较低,结深较深时,有利于提升电池性能;该实验在模拟计算和工艺优化的基础上制备出效率为20.03%的nPERT电池。 相似文献
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采用荷能Ar 束室温倾角溅射石墨的方法制备可控锥角的碳纳米纤维/圆锥结构.扫描电子显微镜结果表明样品表面产生的圆锥密度达1×109-1×1010·cm-2,沿离子束方向排列,且在每个圆锥上都有碳纳米纤维长出.随着入射倾角由30°增大到60°,碳圆锥的锥角从33°降到20°、长径比从250nm/150nm增大到1200nm/400nm.随着入射角度的增加,离子束诱导的表面原子有效扩散系数减小和溅射速率增大是碳圆锥的长径比增大、碳圆锥的锥角减小及其密度增加的原因.随着离子束流强度由200μA·cm-2增加到800μA·cm-2,碳圆锥的锥角从90°降到20°、碳圆锥的高度从100nm增加到1200nm.相同时间内,随束流强度的增大,碳圆锥表面单位面积内离子的注入剂量增大,导致溅射出来的碳原子数目增多.这是随离子束流强度增大形成碳圆锥的锥角变小且高度增加的原因. 相似文献
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PEEK属特种高分子材料,可用作耐高温结构材料和电绝缘材料,也可与玻璃纤维或碳纤维复合制备增强材料,在航空航天、汽车、电子电气、运输、机械、医疗器械等领域应用广泛。本文综述了国内外PEEK产业发展现状及产品开发应用进展。 相似文献
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