In0.4Ga0.6N/GaN异质结IMPATT二极管性能仿真研究

提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管。传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为GaN基IMPATT器件的替代设计方案。详细研究了In0.4Ga0.6N/GaN异质结和PN结两种不同结构IMPATT二极管的直流、交流输出特性。结果表明,In0.4Ga0.6N/GaN IMPATT二极管在不使用P型GaN的情况下,可达到优于传统PN结IMPATT二极管的性能。     

GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究

针对p型GaN IMPATT制造工艺仍未成熟,提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN n-n型异质结构来取代常规p-n结构,使GaN IMPATT二极管工作在IMPATT模式下。研究了这种n-n型In0.4Ga0.6N/GaN碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的噪声特性,与同等条件下的传统GaN基p-n结IMPATT二极管作比较。结果表明,在不同偏置电流密度和不同InGaN层厚度下,该器件的噪声特性均好于传统p-n结构。结合器件交流输出特性可以得知,In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结IMPATT器件不仅在功率效率上优于GaN p-n结构,其噪声性能表现亦优于传统GaN p-n结构,特别是在高频段的噪声特性优势更加明显。该研究可以为GaN基IMPATT器件的设计提供更多的思路和参考。     

SiC/GaN IMPATT二极管的交流性能研究

利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真.结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了...     

空气预热器漏风原因分析与改造措施

空气预热器漏风降低了锅炉的效率。本文对空气预热器的漏风原因进行了分析,提出了空气预热器漏风改进的措施。     

空气预热器漏风原因分析与改造措施

空气预热器漏风降低了锅炉的效率.本文对空气预热器的漏风原因进行了分析,提出了空气预热器漏风改进的措施.     

导电薄膜材料的研究进展

导电薄膜材料由于导电性好、透射率高、可弯曲折叠等优点，在光电转换、电热转换、电磁转换等领域应用广泛。薄膜材料的导电填料主要包括金属及其化合物、碳基材料和导电聚合物。单种导电材料往往难以适应导电性和稳定性的双重需求，两种或两种以上的导电材料以掺杂或组装的方式制备复合导电薄膜表现出更好的导电性和环境稳定性，表面改性是改善导电材料与衬底结合强度的有力方法。以导电性能为重点综述了各类导电薄膜材料的特性及优缺点，提出改善导电薄膜材料导电性和稳定性的建议，为导电薄膜材料的研究提供参考。