双极型器件基区电阻的测量

用直流方法测量双极器件的基区电阻是一种简单易行的方法。     

苯并咪唑液晶/磷酸二元体系固态电解质的无水质子传导性能

以端部含溴基的棒状液晶为前体,利用亲核取代法合成了热致性近晶相苯并咪唑液晶.近晶相下苯并咪唑基团自组装形成二维的质子传导通道,在150℃下其无水质子传导率可达3.6×10-5Scm-1.通过适量的磷酸掺杂(5％质量比)制备苯并咪唑分子/磷酸二元体系以提升其质子传导性能.液晶相及电化学测试显示,5％磷酸的二元体系近晶相得...     

集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验

本文对知名的集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４进行了较仔细的校验,用ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在１０％以内,与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联用校验了ＳＳＵＰＲＥＭ４的工序模拟结果,校验结果有较大参考价值。     

高浓度磷扩散的模拟

介绍了在SilvacoTCAD软件中最新加入的磷扩散模型──PERCO模型。该模型建立了杂质、空位及自间隙的连续性方程，描述了由于高浓度磷扩衡引起的超平衡点缺陷对磷在硅中分布的影响。已将该模型用于对实际工艺模拟的校正，取得满意的结果，同时，可以体会到模型校正的意义。     

双极工艺模拟的校正及其应用

介绍了双极工艺基区和发射区结构模拟所涉及的物理模型，包括与单种工艺有关的杂质分凝模型、硼的间隙扩散模型及高浓度磷扩散模型等。特别分析了与多步工艺有关的点缺陷模型及其模拟校正过程，最后给出了模型校正的应用。     

集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的应用

采用集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺,并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在１０％以内,与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联用模拟了ＳＳＵＰＲＥＭ４的全工序,并把它应用于实际生产。结果表明ＳＳＵＰＲＥＭ４有较大应用价值。     

菲醌修饰多孔碳纳米管复合材料的制备及其在对称超级电容器中的应用

为获得具有优异电化学性能的超级电容器电极材料,首先依次对实验合成的聚吡咯(PPy)纳米管进行碳化处理和活化处理来制备层级多孔碳纳米管(PCNTs)。然后用一步溶剂热法将9,10-菲醌(PQ)分子通过π-π堆积作用进一步修饰到PCNTs表面得到PQ分子非共价修饰的PCNTs复合材料(PQ/PCNTs)。不仅对合成的复合材料进行了形貌表征,而且还通过循环伏安法(CV)、恒电流充放电(GCD)和电化学阻抗谱(EIS)研究了具有不同PQ分子负载率的复合材料(PQ/PCNTs)的超级电容性能。实验结果表明：PQ分子与PCNTs质量比为5∶5的复合材料的电化学性能最好,在1 A·g^-1的电流密度下的比容量可以达到407.7 C·g^-1。同时复合材料表现出优异的倍率性能(电流密度为50 A·g^-1时的比容量为307.3 C·g^-1)和循环稳定性能(在10 A·g^-1电流密度下循环10,000次后电容保持率为91.4%)。为了进一步研究复合材料的实际应用性能,以PQ与PCNTs质量比为5∶5作...     

双极型器件基区电阻的测量

着重介绍了三种测量基区电阻Ｒｂ的ＤＣ测量法，并通过反面实例说明其中两种方法（１．由Ｉ－Ｖ特性来提取Ｒｂ及Ｒｅ；２．基于碰撞离子产生的反向基区电流的ＤＣ法）的局限性，指出第三种方法（双基极引线孔法）是值得借鉴的方法。ＤＣ测量法因其简单易行而被广泛接受，但在实践中须特别注意其适用范围。