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压裂是油层改造、新井投产、老井稳产、单井产能提高的重要手段,然而压裂增产的同时,也会不可避免地给油层带来较为严重的伤害,导致压裂无效或减产,不能达到预期的增产效果,为此试验应用了压裂后污染处理技术。该技术由HY-25、HY-26、HY-27三种成分组成,可有效缩短排液周期,改善破胶液返排效果,对支撑剂质量不产生明显影响。现场实施后效果非常好,产液量增加,含水率大幅度下降。低渗透油田压裂后污染处理技术针对性强,综合性强,采用多段塞配合的新工艺,施工工艺简单,成功率高,低伤害,低成本,施工安全,处理效果显著。 相似文献
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我厂一台XJJ-40型修井机,其上滚筒主轴的花键部分在使用中常常被磨损而失效,其主要原因是滚筒承受的力过大,造成三角支架松动,不能很好地固定主轴,因而花键在键套中颤动而被磨损。主轴的材质为45#钢,经机械加工、调质处理后制成。因换一根主轴需3500元,经研究决定,采用手工电弧焊进行堆焊的方法自行修复,具体方法如下。在原来花键的位置上,用堆焊的办法加高、加宽原有的被磨损的10个键齿,然后用磨光机打磨堆焊后的键齿将其恢复到原来的尺寸,使之与键套能够很好地配合。焊接时要求满足以下条件:(1)焊接使用直… 相似文献
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斯蒂芬酸铅的半导体桥点火试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)装药条件下发火电压、发火电容及积分能量对点火时间影响的对比,结合不同点火条件下,桥体两端电压曲线、电流曲线和电流二次峰出现时间的比较,研究了斯蒂芬酸铅(LTNR)的半导体桥点火机理。试验发现特定的点火电路下,SCB点火时间存在一个临界值,且SCB等离子体形成的快慢直接影响点火时间。在充电电压从大到小的点火过程中,在桥与药剂之间存在2种不同的点火机理,在较高点火电压下为等离子体点火机理,在低电压为热点火机理。 相似文献
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The plasma temperature of the semiconductor bridge (SCB) was measured in real-time according to relative intensity ratio of dual lines of atomic emission spectrum.The plasma temperature under different discharge pulses and the influence of discharge pulse energy on it were studied.The results show that the plasma peak temperature rises gradually with the increase of initial discharging voltage and charging capacitance.For the capacitance of 22 μF,if the initial discharging voltage increases from 21 V to 63 V,the plasma peak temperature rises from 2 000 K to 6 200 K.For the discharging voltage of 39 V,the peak temperature rises from 2 200 K to 3 800 K when the capacitance increases from 6.8 μF to 100 μF.The change of pulse discharge has a very small effect on the plasma temperature at the late time discharge (LTD).In view of the change of plasma temperature with the pulse energy,the discharging voltage has a greater effect on the plasma temperature than the capacitance.The results provide some experimental basis for the further research on SCB ignition and detonation mechanisms. 相似文献
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瞬态小尺寸等离子体的判断及光谱法表征 总被引:2,自引:1,他引:1
以等离子体为激发能量的点火方式是含能材料点火技术的一个发展方向,等离子体的基本参数如温度和电子密度对研究等离子体点火的机理是重要的参数。对于半导体桥( SCB)在一定放电条件下所产生的瞬态小尺寸等离子体,很多等离子体诊断方法不能适用。本研究利用原子发射光谱技术,同时获得SCB等离子体温度和电子密度随时间分布的诊断结果,在放电电压为16 V,充电电容为47 μF条件下,1.0 Ω的SCB等离子体温度分布在2 400—3 800 K之间,电子密度约为3.2×l014~4.2×1014个/cm3左右。同时,依据筹离子体成立的空间尺度和时间尺度条件,根据光谱诊断结果,判断不同型号的SCB的放电行为是否产生等离子体。本研究为瞬态小尺寸等离子体诊断提供了一种有效的方法,为SCB桥体的设计以及点火方式的控制提供了理论指导和参考依据,以及用于其它体系中等离子体参数的诊断及判断。 相似文献