新型NTC热敏电阻材料—含铜Mn系铁氧体的研究

研究了含铜Mn系铁氧体的阻温特性,目的是用廉价的铁氧体取代价格昂贵的、传统的Mn Ni Co氧化物、负温度系数热敏电阻。通过Cu~(2+)离子取代Fe~(2+)离子或Mn~(2+)离子,及改变淬火工艺,可以改变Mn系铁氧体整体电阻率ρ和材料参数B,得到可与传统氧化物器件相比拟的性能。     

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用ＲＦ磁控溅射法，在纯Ａｒ气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ｂａ铁氧化薄膜，研究了退火温度对薄膜Ｃ轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在７００℃氧气中退火可获得良好Ｃ轴垂直膜同的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ｍｓ＝２９６ｅｍｕ／ｃｍ＾３，Ｈｃ＝３０８７６１Ａ／ｍ。退火温度过低或过高，都不利于形成Ｃ轴垂直膜面的择优取向。     

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用ＲＦ磁控溅射法在纯Ａｒ气中，在硅基片不加热，制备了Ｂａ铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜Ｃ轴垂直取向，结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在７００℃氧气中退火可获得良好Ｃ轴垂直膜面择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别是Ｍｓ＝２９６ｋＡ／ｍ，Ｈｃ＝３１０．４ｋＡ／ｍ。退火温度过低或过高，都不利于形成Ｃ轴垂直膜面的择优取向。     

α铁—铁氧体材料粘结混合磁体

本文研究了α铁-铁氧体粘结混合磁体的复合效应,结果表明了混合磁体的剩磁Br有增强现象,这种增强现象与晶粒尺寸有关。     

双层耦合膜的磁光克尔效应研究

稀土-过渡族金属(RE-TM)非晶垂直磁化膜用于磁光记录材料已被广泛研究。为了提高材料的读出性能,提高分辨率,降低误码率,希望材料有较大的磁光克尔旋转角θ_k。本文采用磁光双层膜耦合结构,将信息的记录和读出分别由记录层(Storage Layer)薄膜和读出层(Readout Layer)薄膜完成,将磁光克尔旋转角θ_k由单层膜的小于0.30°,提高到双层膜的0.38°,较好地解决了这一问题。     

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用RF磁控溅射法，在纯Ar气中，硅基片不加热的情况下，制备了Ba铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜c轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在700℃氧气中退火可获得良好c轴垂直膜面的择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别为Ms=296emu／cm3，Hc=308761A／m。退火温度过低或过高，都不利于形成c轴垂直膜面的择优取向。