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Ti-2.5Cu,Ti-3Fe,Ti-3Cr合金铸锭的偏析 总被引:7,自引:0,他引:7
通过对Ti-2.5Cu,Ti-3Fe,Ti-3Cr钛合金进行微区成分和宏观成分的对比研究,得出了3种合金铸锭中合金元素宏观和微观偏析规律。在等轴晶内,3种元素含量均沿晶粒生长方向增加,其中Cu,Fe元素偏析明显,Cr元素偏析程度小;柱状晶内,Cu,Fe,Cr的含量均沿晶粒生长方向增加,但偏析均不明显;晶界处的平均Cu,Fe含量明显低于晶内,而Cr含量则远远高于晶内,Cr在晶界偏析明显。宏观方面,3种元素均向铸锭的顶部和中心富集,其中Cu和Fe的偏析程度较大而Cr的偏析程度小,径向的偏析程度比轴向严重。 相似文献
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随着我国经济的飞速发展,对于石油的需求量也就越来越大,石油的勘探技术就直接影响了石油的质量以及数量。地质的不同,直接影响了对于石油的勘探技术的不同,所以,对待不同的地质层,需要不同的勘测技术和勘探方法。为了勘探的结果更加符合人意,各种技术人员就曾对不同的勘探技术进行过探讨,下面,就让我们针对地质条件的不同,来分析一下对石油的勘探技术有何不同。 相似文献
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利用金属有机化学气相沉积对GaN的高速生长进行了研究.结果表明,随着GaN生长速率的提高,其非故意掺杂的C含量也在提高,并且呈现出良好的线性关系.当生长速率由2μm/h增加至7.2μm/h时,利用SIMS测量发现其GaN中的C含量由2.9×1017增加至5.7×1018 cm-3 .研究表明,N空位的存在与C浓度之间存在紧密的联系。在高氨气分压生长条件下,N空位的浓度也在急剧下降。此时,与具有相近生长速率的常规样品相比,其C含量几乎下降了一个数量级。.光致发光光谱表明,黄带以及蓝带的强度与C污染存在线性关系.这个结果也证实了与C相关的缺陷是导致黄带以及蓝带发光的主要来源。 相似文献
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目的确定黏性土上墩基础承载力的破坏新模型,提高墩基础的计算精度.方法采用慢速维持荷载加卸荷法,反力系统采用锚桩横梁装置,对22根单墩进行了静载试验.结果单墩竖向抗压承载力随墩底直径增大而提高,随墩底形状不同而改变,地基土破坏形式为刺入式剪切破坏.结论分析了墩基础的尺寸效应对承载力的影响问题,得出随着墩底直径D值增大,调整系数呈指数规律衰减,修正了桩端承载力与D值的调整系数大于1的传统关系函数,确保工程安全可靠. 相似文献
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刘军林 《中国新技术新产品》2010,(15):178-178
钢筋混凝土结构具有良好的耐久性、耐火性、可模性以及整体性等优点,广泛地用于房屋建筑工程中.由于设计、施工、材料、养护诸多因素的影响,常导致钢筋混凝土构件产生裂缝,笔者对其产生的原因进行科学的分析,找出问题的症结,制订切实可行的预防措施和处理方法,及时排除隐患切实可行、效果好。 相似文献
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以玛咖和苦荞为主要原料加工复合茶饮料,通过响应面优化实验,对玛咖苦荞复合茶饮料加工过程中玛咖粉、苦荞茶及稳定剂添加量进行优化,提高产品品质。研究结果显示最优产品配方为:玛咖粉添加量2.1%,苦荞茶添加量1.6%,果葡糖浆添加量5.7%,三个因素的作用大小依次为:果葡糖浆>玛咖粉>苦荞茶。最优稳定剂配方为:CMC-Na添加量0.07%,黄原胶添加量0.07%,海藻酸钠添加量0.03%。三个因素的作用大小依次为:CMC-Na>果胶>海藻酸钠。最终产品感官评分平均值达95.4±0.6,透光率为90.5±0.6%。本研究为玛咖和苦荞产品的开发提供数据支撑。 相似文献
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附加碳源对SiC单晶生长过程的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。 相似文献
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在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片. 相似文献