抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响

研究了碱性抛光液的pH、SiO₂磨料质量分数、H₂O₂体积分数和甘氨酸质量分数对3D微同轴加工中铜和光刻胶化学机械抛光(CMP)去除速率的影响,得到较佳的抛光液组成为：SiO₂ 5%,H₂O₂ 20 mL/L,甘氨酸2.5%,pH=10。采用该抛光液时,铜和光刻胶的去除速率非常接近,满足3D微同轴加工对铜和光刻胶CMP去除速率选择性的要求。