硅橡胶泡沫伽马辐照后结构和元素分布研究

在密闭的氮气气氛下,用伽马射线辐照聚二甲基硅橡胶泡沫,采用全反射红外光谱(ATR)和X射线光电子能谱(XPS)对辐照后的化学结构和元素含量变化进行了表征.结果表明:化学结构单元Si-CH3最容易受到伽马射线的影响,在低的辐照剂量下表面Si-CH3成分随着辐照剂量增加而减小;高剂量下材料的元素分布发生了变化,近表面C元素含量要比泡沫体中部的C元素含量高.因此,在密闭环境下辐照老化后的硅橡胶泡沫的表面性能和体内性能存在差异.     

芳香炔醇的合成及其与TNT荧光猝灭研究

芳香多环共轭化合物分子多呈现平面结构,该类化合物大多具有荧光效应.当富电子的荧光共轭化合物与缺电子多硝基化合物接触时,荧光会发生猝灭.利用硝基化合物对荧光共轭化合物的荧光猝灭性质,可用于炸药的检测.     

原位红外漫反射光谱研究HMX的分解动力学

采用原位红外漫反射光谱研究了炸药1,3,5,7-四硝基-1,3,5,7-四氮杂环辛烷(HMX)的热分解动力学.结果表明升温中HMX会发生C-N键和N-N键的断裂,释放出CO2、N2O、CO、NO、HCHO、HONO、NO2和HCN八种气体,HMX的分解动力学方程为kC.N=e34.6exp(-152/RT).     

9-乙炔基-9-羟基蒽酮结构和荧光性能的理论研究

采用含时密度泛函理论(TDDFT)和单激发组态(CIS)方法计算了9-乙炔基-9-羟基蒽酮(EHAO)的激发能(3.4 eV)和发射能(2.7 eV).通过前线轨道分析,描述了CH3OH和TNT对9-乙炔基-9-羟基蒽酮荧光光谱的不同影响机理.结果表明,CH3OH与9-乙炔基-9-羟基蒽酮作用后,第一激发态跃迁仍然是在...     

聚苯乙烯/聚氧乙烯两亲微球的表征

利用聚氧乙烯大分子单体为功能单体，与苯乙烯悬浮共聚，合成具有两亲结构，平均微粒径在5μm-35μm的微球，用扫描电镜（SEM）对微球的形貌，粒径及粒径分布进行表征；聚合物的结构及组成分别用红外光谱和元素分析仪测定；微球表面及内层的聚氧乙烯含量根据X光电子能谱（XPS）测得的氧含量计算得到，结果表明聚氧乙烯在表面层的含量明显高于内层及平均值；用滴定法测定了微球中羟基的含量，改变反应条件，可合成羰基含量在0.05mmol/g-0.2mmol/g的两亲微球。     

一种新型有机气敏材料的成膜和低温气敏性能

制备了一种新型的有机气敏材料-取代双酞菁镧(Sub-Re(Pc)2),该材料具有优良的溶解性能和成膜性能,无需任何分子支撑剂即可较好地在纯水亚相上形成LB膜.当铺展量为0.5 mg/m2时,崩溃压高达51 mN/m.在10 μm间距的超微电级上制备了18层LB单分子超薄膜,AFM观测证实其表面形貌均匀致密.在气敏响应的测试中,该材料在较低工作温度(10℃)下有灵敏的电子学响应,瞬时响应为3～5s,信号变化达4个数量级.在85℃微热条件下能彻底脱附气体分子,已经具备实际应用价值.     

甲基三乙氧基硅烷改性制备疏水SiO2气凝胶

采用原位聚合法结合超临界干燥工艺,以正硅酸四乙酯为硅源、甲基三乙氧基硅烷为改性剂制备出疏水型SiO2气凝胶．采用比表面积及微孔物理分析仪、接触角分析仪、热分析仪和红外光谱仪对其性能和结构进行表征．结果表明：所制备出的SiO2气凝胶是接触角为160°、比表面积为674．47m^2／g和孔体积为4．13cm^3／g@疏水型气凝胶．疏水SiO2气凝胶的热稳定温度为244．5℃．     

改性聚环氧琥珀酸在反渗透处理炸药废水中的应用研究

火炸药工业所排废水中含多种剧毒物质,必须采取防污措施,反渗透技术在炸药废水处理中有着广泛的应用.反渗透装置中的膜受污染后会在表面生成CaCO3、Ca3(PO4)2等沉积物,从而影响反渗透装置的正常运行.通常是向反渗透进水中加入阻垢剂.聚环氧琥珀酸在反渗透系统中有较好的阻CaCO3垢效果,但对阻磷酸钙及锌垢效果不佳,因此需要改性研究.本文以2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸(AMPS)为单体制备了改性聚环氧琥珀酸并对阻碳酸钙、磷酸钙和锌垢性能进行了研究.     

蒽醌衍生物α-炔醇的合成及荧光性能研究

以蒽醌为原料合成了含端乙炔基的α-炔醇化合物9-乙炔基-9-羟记蒽酮.通过1HNMR、IR、LC-MS和元素分析对该化合物进行了结构表征,采用DSC和Waters 474 荧光检测器分别获得了其熔点和荧光光谱.检测了常见爆炸物2,4,6-三硝基甲苯(TNT)和高能炸药1,3,5,7-四硝基-1,3,5,7-四氮杂环辛烷...     

升温速率对HMX炸药凝聚相热分解过程的影响研究

采用原位红外光谱研究了炸药1,3,5,7-四硝基-1,3,5,7-四氮杂环辛烷(HMX)在5,10,20,40℃·min-1四种不同升温速率下的热分解行为.研究结果表明随着温度的升高,C-N键的断裂速率远高于N-N键的断裂速率,表明C-N键的断裂是HMX的主要断键方式,在C-N键的断裂中伴随着N-N键的断裂.在5℃·min-1升温速率下,断裂的HMX环发生分子内结合,在10,20,40℃·min-1升温速率下,断裂的HMX发生分子间成环,重新形成稳定的八元环结构