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低功耗高速硅电光调制技术的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对硅电光调制器研究结果的分析,提出厂低功耗高速调制的新技术。即采用不均匀掺杂人为引进漂移场和限制注入载流子运动范围以提高其浓度等方法,达到高速低功耗调制的目的。 相似文献
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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究 总被引:6,自引:3,他引:6
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为10^-14cm^2/bit量级,随质子能量的增大略有增大。 相似文献