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n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观。但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产。采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础。实验结果表明,电阻率为3~5Ω·cm、扩散方阻为70Ω/时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73%,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm2,填充因子为80.69%。 相似文献
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东海县建设工程质量检测中心(以下简称检测中心),为了认真实施工程质量检测专项整治和“十佳”检测机构的创建,围绕省市提出的工作目标、工作重点,扎扎实实、卓有成效地开展了整治和创建工作。 相似文献
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通过对人工晶体研究领域的概括和对1991~1999年间MSCI数据库中有关晶体论文的计量分析,研究了近10年来人工晶体的发展轨迹,概述了人工晶体中最重要的电子、光子、光电子材料,指出这些材料在新的世纪里仍将起重要的作用。 相似文献
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叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的光电转换效率。但由于IBC太阳电池在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行发射极和背电场隔离,导致工艺流程复杂、电池片稳定性较差,难以实现大规模生产。研究了不同厚度的SiO2薄膜、SiNx薄膜和SiO2-SiNx叠层薄膜对IBC太阳电池钝化性能、减反射效果、热稳定性能和电性能的影响,实验结果表明,SiO2-SiNx叠层薄膜在较宽的光谱范围内减反射效果更佳,高温热生长的20 nm厚的SiO2薄膜便表现出良好的热稳定性,当选用SiO2-SiNx(厚度分别为20和40 nm)叠层薄膜时,制备的IBC太阳电池光电转换效率稳定,可达24.1%,对应的开路电压为698 mV,短路电流密度为43.25 mA/cm2,填充因子为79.87%。 相似文献
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通过对人工晶体研究领域的概括和对1991~1999年间MSCI数据库中有关晶体论文的计量分析,研究了近10年来人工晶体的发展轨迹,概述了人工晶体中最重要的电子、光子、光电子材料,指出这些材料在新的世纪里仍将起重要的作用. 相似文献
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