全文获取类型
收费全文 | 99篇 |
免费 | 10篇 |
国内免费 | 23篇 |
专业分类
电工技术 | 10篇 |
综合类 | 4篇 |
化学工业 | 4篇 |
金属工艺 | 6篇 |
机械仪表 | 6篇 |
建筑科学 | 3篇 |
轻工业 | 3篇 |
水利工程 | 17篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 58篇 |
一般工业技术 | 7篇 |
冶金工业 | 2篇 |
自动化技术 | 9篇 |
出版年
2019年 | 1篇 |
2018年 | 2篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 2篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 8篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 16篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 9篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
排序方式: 共有132条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
This paper presents an ultra-low-power area-efficient non-volatile memory(NVM) in a 0.18μm singlepoly standard CMOS process for passive radio frequency identification(RFID) tags.In the memory cell,a novel low-power operation method is proposed to realize bi-directional Fowler-Nordheim tunneling during write operation. Furthermore,the cell is designed with PMOS transistors and coupling capacitors to minimize its area.In order to improve its reliability,the cell consists of double floating gates to store the data,and the 1 kbit NVM was implemented in a 0.18μm single-poly standard CMOS process.The area of the memory cell and 1 kbit memory array is 96μm~2 and 0.12 mm~2,respectively.The measured results indicate that the program/erase voltage ranges from 5 to 6 V.The power consumption of the read/write operation is 0.19μW/0.69μW at a read/write rate of (268 kb/s)/(3.0 kb/s). 相似文献
9.
10.
利用溶胶-凝胶旋转涂膜法在耐热玻璃衬底上制备了不同膜厚的Na/Mg共掺ZnO薄膜。重点研究了膜厚对Na/Mg共掺ZnO薄膜结构和光学特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,膜厚为200~500 nm时,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性、致密性及c轴择优取向生长特性都呈现出先增强后降低的趋势。透射光谱分析结果表明,薄膜在可见光范围内的平均透光率随着膜厚的增加而显著下降。实验条件下,膜厚约为300 nm的Na/Mg共掺ZnO薄膜具有优良的结构特性和透光特性。荧光光致发光(PL)谱表明该薄膜中缺陷很少,是优良的紫外发光材料。 相似文献