溅射时间对磁控溅射V2O5离子储存薄膜结构与性能的影响

在ITO玻璃基体上采用磁控溅射法制备用于电致变色玻璃的V2O5离子储存薄膜,重点研究了溅射时间(2～5 h)对V2O5薄膜结构与性能的影响.研究结果表明:随着溅射时间延长,V2O5薄膜的厚度随着溅射时间延长而增厚,透过率随着厚度增加而呈现降低趋势;溅射4～5 h下制备的V2O5薄膜离子储量高于20 mC/cm2.综合考虑离子储存量和可见光透过率,磁控溅射法制备离子储存V2O5薄膜的溅射时间控制为4 h为宜.