对动态规划匹配算法的改进

在语音识别中,利用动态规划技术实现的非线性时间规正已得到了令人满意的结果。但是,现在应用的DP Matching(Development PlanMatching动态规划匹配)法一般都不能同时具备以下三条特征:模式可交换性、时间可逆性、与线性 匹配方法的相容性。因此算法本身的通用性、灵活性欠佳。本文基于这种情况,提出了一种新的DP—Matching法,这种方法完全具备以上三种特征。应用这种算法在计算局部距离时对加权系数有平滑作用,在实际应用中灵活性大,特别对某一发音模式需要进行分段匹配、时间可逆性匹配时,更显示出其有效性。本文首先简单阐述DP—Matching算法的基本理论,然后分析和证明了现有的DP—Matching公式的缺陷,提出并详细证明了一种新的通用型DP—Matching算法,最后得出几点结论。     

用户级并行性的开发

从标准线性回归方程出发，首先确定标准化因变量回归值的控制区间，然后找出一个ｍ元一次不定方程的解集合，根据回归方程的特写意义，在该解集合中求得满足标准回归方程控制问题的子集合。最后应用标准回归方程与一般回归方程的关系，求出一般线性回归控制问题解的子集合及计算公式。经实例验证符合要求。     

攀钢冷轧厂采用的鲁斯纳酸洗技术

介绍了攀负冷轧厂由奥地利安德里茨公司引进的酸洗机组的工艺技术、设备组成、工艺流程及设备的主要特点。     

用概率法计算凸轮廓线偏差和从动件的运动偏差

应用概率理论设计凸轮廓线．建立了该方法的数学模型，推导了各统计量的计算公式．通过实际算例，由计算机解出该机构中实际凸轮廓线的设计参数的变化差值及从动件运动规律的变化差值     

海基中段弹道导弹防御系统的仿真分析

在美军的弹道导弹防御体系中，海基弹道导弹防御系统发挥着重要的作用。对美军海基弹道导弹防御系统的分析，将有助于我国防御技术的发展以及作战技术的改进。文章在公开资料的基础上，对美军海基中段弹道导弹防御系统进行了初步仿真分析。文章讨论了分布式仿真系统的实现，系统中的实体模型采用UML语言进行面向对象建模与实现，提高了工作效率。仿真系统可以给出整个作战回路的动态过程，可以从定量的角度获得对整个系统的直观认识。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN／GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN／GaN的MOS—HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积（PECVD）的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN／GaN MOS—HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA／mm,最大跨导为44．25ms／mm,最高栅偏压＋6V。     

高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能，采用新的欧姆接触和新型空气桥方案．测试表明，器件电流密度为0.784A/mm，跨导197mS/mm，击穿电压大于40V，截止态漏电较小，1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz，功率增益为11dB，功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力．     

高漏偏压下AlGaN/GaN HEMT噪声性能的研究

The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias.