压电薄膜型心音传感器

论述了应用压电高分子薄膜聚偏氟乙烯作成的心音传感器的制作原理、结构、信号检测及实验结果。从实验结果看，这种传感器具有重量轻、灵敏度高等优点。     

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

炭黑填充聚偏氟乙烯PTC复合材料研究

研究了炭黑（ＣＢ）浓度、热历史和辐照对ＰＶＤＦ／ＣＢ复合物电阻行为的影响。结果表明，最大ＰＴＣ强度发生在临界浓度Φｃ处，Φｃ略大于渗流阈值Φｐ，渗流区以外基本无ＰＴＣ效应。热处理对电阻率－温度行为的影响由结晶状态（结晶度和结晶形态）造成的。结晶形态愈复杂，临界温度以下的正温度系数效应愈明显。结晶度越大，ＰＴＣ强度越大。并用ＤＳＣ测试结果解释了这一现象，４０Ｍｒａｄ以下剂量γ－６０Ｃｏ辐照能削弱ＮＴＣ效应，但不能完全消除。     

一种聚合物血压传感器

讨论了应用压电聚合物聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜制作的血压传感器件的设计原理、结构和信号检测。实验结果发现这种传感器具有质量轻、结构简单、灵敏度高、没有人为因素影响等优点。     

多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析

G·C·Jain等曾对高温扩散到太阳能等级的多晶硅和单晶硅中的硼作过剖面分析:用阳极氧化对硅层逐次减薄,每次减薄后,用四探针法测剩余硅层的薄层电阻,通过对薄层电阻与剩余硅层厚度(距表面深度)关系的测定,求得硼的剖面分布曲线。我们建立了与此相类似的,更为简单易行的剖面分析方法,用化学腐蚀代替阳极氧化,依据实验数据作图,求出杂质分布剖面,并对CVD法制备的多晶硅膜作了硼杂质的剖面分析。此方法虽不如用具有电子枪剥离装置的俄歇(Auger)电子能谱仪作剖面分析快,但操作及设备简单,可代替俄歇能谱作杂质剖面分析。     

用硼泥制备大尺寸氧化镁单晶及其性能研究

介绍用废渣硼泥制取高纯氧化镁粉末来制备大尺寸氧化镁单晶的生长方法.实验结果表明各项性能指标优良.而且,MgO原料的纯度及SiO2和CaO材料的配比与晶体生长技术是我们获得优质晶体的关键因素.同时探讨了晶体的加工和应用前景.     

杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响

报道了多晶硅薄膜的制备方法及光生载流子在多晶硅晶界区域的收集，复合情况，并采用剖面分析方法研究了杂质的分布对多晶硅薄膜太阳电池电性能的影响。     

低成本绒面硅太阳电池新工艺

在硅太阳电池的制备过程中,将光刻技术与化学镀镍技术结合,一步形成硅太阳电池的正面栅电极与背面电极接触,可缩短生产周期,降低成本,为减少栅电极覆盖面积,提高电池的电性能提供条件。     

杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响

报道了多晶硅薄膜的制备方法及光生截流子在多晶硅晶界区域的收集、复合情况，并采用剖面分析方法研究了杂质的分布对多晶硅薄膜太阳电池电性能的影响。     

淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响

利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响,同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。