二次发射体MgO薄膜的俄歇电子能谱的研究

本文叙述了用PHI—550型给定的俄歇电子能谱(AES)研究了一种新的、性能优异的二次电子发射材料——MgO薄膜。薄膜由Ag—Mg合金经特殊高温激活工艺处理而成。以前人们对这种薄膜内部的各种元素的化学状态以及纵向原子浓度的分布状态一直不太清楚,本实验的成功证明了俄歇(Auger)电子能谱是研究这种薄膜的一种非常合适的实验方法。从实验结果中,我们发现如下几点 1.激活后,Mg和O原子的化学状态发生了显著的变化。 2.激活后,Mg、O和Ag原子的纵深分布也发生了显著的变化。 3.Mg原子氧化不充分,为了改进这一缺点,我们发明了一种新工艺。 4.使用新工艺激活,Mg原子可获充分氧化。     

钾泡的场致发射图象——FEM的新应用

一、引言 由于近年来电子技术与超高真空技术的迅速发展,出现了一系列的表面分析仪器,例:离子探针显微分析仪,俄歇电子能谱仪,x射线光电子谱,场致显微镜。它们的出现一方面推动了凝聚态物理、固体物理、表面科学理论方面的发展,另一方面由于它们的应用也给材料科学的研究灌输了新鲜血液。