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1.
MoS_2二维晶体的可控制备的研究
叶黎
黄嘉曜
郑晓武
周伟鹏
徐海涛
《化学工程与装备》
2018,(2)
本文基于CVD系统,提出了采用衬底正置法的单层二硫化钼二维晶体的合成方法,对制备单层二硫化钼二维晶体的生长条件进行探究,并对样品的生长机制进行归纳和总结。若干表征技术的反馈结果表明,采用此方法制备的硫化钼二维晶体具备较高的晶体质量,样品生长在载气空间分布方向上存在最佳位置。
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