GZO厚度对非晶硅电池中复合背电极的影响

在非晶硅太阳能电池中加入复合背电极是提高非晶硅太阳能电池光电转换效率和稳定性的有效手段.本文利用磁控溅射技术在非晶硅薄膜太阳能电池上制备了ZnO :Ga(GZO)/Al复合背电极,研究了GZO厚度对GZO薄膜光电性质及非晶硅电池中GZO/Al复合背电极性能的影响.研究表明：随着GZO层厚度的增加,GZO薄膜的光电性质均表现出较高水平,适合制备GZO/Al复合背电极;相较于单层Al背电极的非晶硅太阳能电池,具有GZO/Al复合背电极的太阳能电池性能大幅提高.当GZO层厚度为100 nm时,太阳能电池的短路电流(I_SC)、开路电压(V_OC)和填充因子(FF)分别达到8.66 mA,1.62 V和54.7%.     

微机控制低频振动攻丝机床的研制

在金属切削加工中,螺孔的加工远比钻孔、铰孔和镗孔等孔加工复杂。目前常用研磨法来达到,造成加工效率低。为此寻找一种高效率的精密内螺纹的加工方法具有很重要的意义。本论文应用振动分析理论和频谱分析理论,确定最佳工艺参数,使机床在加工螺纹具有加工效率高、质量好的特点。     

储存条件对啤酒花中α-酸含量的影响

研究香型啤酒花扎一(SA-1)和苦型啤酒花纳盖特(Nugget)、马可波罗(Marco Polo)、青岛大花(Tsingdao flower)4个啤酒花品种在不同的储藏条件下α-酸的变化。以α-酸为试验指标,采用正交试验法对时间(A)、残氧量(B)、温度(C)3个影响因素进行研究。青岛大花最佳储存方案是A1B2C1,扎一香花最佳储存方案是A1B3C1,纳盖特最佳储存方案是A2B2C1,马可波罗最佳储存方案是A3B3C1。     

量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响

从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从ls3/2(Г6)基态到同种宇称2s3/2(Г6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.     

新型电动刀架的设计

电动刀架是数控车床重要的部件,本次设计的刀架采用全电控制,无需液压或气动等其它动力源,故对简化机床控制的复杂程度带来好处。本次设计主要对四工位立式电动刀架总体方案设计,通过合理设计可以有效的提高刀架结构的刚度以及最大承载力,确定合理的尺寸,使结构紧凑。     

啤酒花储存条件对其β-酸含量的影响

采用正交实验,分析了保存时间、残氧量、温度等储存条件对香型啤酒花扎一(SA-1)和苦型啤酒花纳盖特、马可波罗、青岛大花中β-酸含量的影响。结果表明,从保留β-酸营养价值的角度分析,青岛大花最佳储存方案是20℃、残氧量0.4%、保存时间30 d;扎一香花最佳储存方案是20℃、残氧量0.2%、保存时间90 d;纳盖特最佳储存方案是4℃、残氧量0.4%、保存时间30 d;马可波罗最佳储存方案是20℃、残氧量0.2%、保存时间30 d。     

断螺柱取出的实用方法

在工程机械等装备上，作为固定或连接用的螺柱（螺栓、螺杆）经常发生扭断现象，使一部分螺柱残留于基体内不易取出而影响正常工作。经过实践、摸索，可以利用手工电弧焊的塞孔焊方法，将断螺柱与螺母或方钢块焊为一体，快速将断螺柱取出。     

关于《机械制造基础》课程改革的研究

本文为院级重点教改课题,主要阐述《机械制造基础》课程改革的探索与实践以对在教学过程中的所取的经验进行较深入探讨。     

JGCAP计算机辅助工艺设计系统

GCAP系统是以成本零件的综合式CAPP系统,在派生式CAPP的基础上,增加若干创成功能而形成的系统。这种系统既有派生式可靠成熟,结构简单,便于使用和维护的优点,又有创成式能够存储、积累、应用工艺专家知识的优点。系统非常灵活,结合企业的具体情况进行开发,是一种实用性很强,很有发展前途的CAPP模式。     

量子阱中Be受主的光致发光

报道了掺杂在GaAs体材料中和δ掺杂在一系列GaAs/AlAs多量子阱中的Be受主带间跃迁的光致发光.实验所用样品,GaAs体材料中均匀掺杂Be受主的外延单层和一系列量子阱宽度从3到20nm,并在量子阱中央进行了Be受主δ掺杂的GaAs/AlAs多量子阱样品都是通过分子束外延技术制备的.在4,20,40,80及120K不同温度下,分别对上述样品进行了光致发光谱的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从1S3/2(Γ6)基态到同种宇称2S3/2(Γ6)激发态的两空穴跃迁,并从实验上得到了不同量子阱宽度下Be受主从1S3/2(Γ6)到2S3/2(Γ6)态的带间跃迁能量.理论上利用变分原理,在单带有效质量模型和包络函数近似下,数值计算了Be受主1S3/2(Γ6)→2S3/2(Γ6)的跃迁能量随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.