用喇曼光谱术研究注硼硅片的损伤分布

实验用的原始单晶硅片取向[111],电阻率约10Ω-cm,在室温下以7°倾角注B~ ,离子束流10 μA,能量60keV,注入剂量7×10~(15)cm~(-2)。每块样品一半为离子注入区,一半为非注入单晶区。把每块样品各在乙二醇 硝酸盐 水的溶液中阳极氧化不同时间,长出不同厚度的二氧化硅层,并用椭圆偏振仪测出二氧化硅膜厚度,然后用氢氟酸除去二氧化硅膜,乘     

钙系橡胶凝聚辅助分散剂对金属电极的腐蚀研究

研究不同温度和浓度下钙系橡胶凝聚辅助分散剂氯化钙、乳酸钙和乙酸钙对金属电极的腐蚀情况,包括对金属电极的腐蚀速率、腐蚀微观形貌和腐蚀物化学组成。结果表明：在85 ℃下质量分数为0.01的乳酸钙对金属电极的腐蚀速率为0.033 mm·a-1,远低于同等条件下氯化钙的腐蚀速率（0.880 mm·a-1）;乳酸钙腐蚀的金属电极表面腐蚀程度低,乳酸钙可替代氯化钙作为橡胶凝聚辅助分散剂以减小橡胶凝聚工段的设备和管道腐蚀。     

喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向

测定金刚石结构薄层晶体的喇曼散射光极值法被推广到测定闪锌矿结构薄层晶体的晶向。导出了闪锌矿结构晶体LO和TO声子的喇曼散射光强和晶体的方位及入射光偏振方向间的函数关系。由函数的极值可以确定簿层的晶向。对GaP晶片比较了本方法得到的结果和X射线衍射法得到的结果。     

表面粗糙样品吸收系数的测量研究Ⅰ.理论

本文提出用透射和反射结合测量表面粗糙样品吸收系数的基本思想,引入了反映表面粗糙程度的漫射因子和特征粗糙度,从统计的角度给出了表面粗糙样品的反射率和透射率与特征粗糙度和吸收系数的本质联系,在理论上处理了表面粗糙样品吸收系数测量中的问题。     

GSC—441型光缆数据传输装置

一、概述GSC—441型光缆数据传输装置,是一种采用光导纤维技术传送数字信号的装置。它是为解决计算机与其外部设备之间,计算机与计算机之间的串行数据传输,以及为解决在电磁干扰严重的情况下传送数字信号而研制的。它适用于需要电位隔离,或电磁干扰严重场合,进行中、短距离数字信号的传输,最大传输距离不小于5公里。本装置的重要特点是采用直流耦合电路,能传送DC～2Mb/S的单极性数字信号。因而,它更具有广泛的适应性。除用于计算机领域的数据传输外,本装置还可用于工业自动化控制,遥控、遥测等。还可传送PCM一次群数字信号。本机结构简单,小巧轻量,低功耗,抗     

表面粗糙样品吸收系数的测量研究Ⅱ.硅片的实验结果

本工作依据文献[1]的理论,从实验上最后得出了表面粗糙样品的透射率、反射率与特征粗糙度、吸收系数及波长的具体函数关系,并验证了文献[1]提出的某些关键性的结论,及用透、反射结合方法测量表面粗糙样品参数的可行性。在实际应用中,透、反射结合法所测吸收系数与其他方法所测结果符合较好。     

喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向(英文)

Raman Scattering Light Intensity Extrema Method used to determine the orientation of a thin layer with a diamond structure is extended to the zincblende structure. The Raman scattering light intensities of LO and TO phonons for a zincblende-structured thin layer as functions of both the orientation of this layer and the polarization direction of the incident light have been derived. Then the orientation of the layer is determined by means of the extrema of these functions. The obtained result of GaP wafers using this method is compared with that determined by the X-ray method, thus showing a quite satisfactory agreement of orientation.     

用喇曼光谱测注硼硅片的损伤分布

注入离子在硅中形成各种损伤,损伤把完整晶体分隔成许多小晶粒和大晶块.本工作用喇曼光谱方法结合阳极氧化剥层技术测量了注B~+硅片的特征喇曼峰强度与硅片表面被剥厚度的关系,由此分析得到了损伤层中损伤、折射率、消光系数、小晶粒和大晶块的纵向分布,并将其中的损伤、折射率和消光系数分布与他人的理论计算及其他方法所测结果进行了比较,对其它方法不能测得的小晶粒和大晶块分布给予了定性解释.