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提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。 相似文献
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对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础. 相似文献
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用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a-SiGe:H样品进行退火,只要激光退火能量密度合适,Ge含量不同的a-SiGe:H薄膜都可以被多晶化;随着Ge含量的增加,激光晶化阈值能量密度降低,耐退火民降低;在相同的激光晶化能量密度下,Ge的含量越高的薄膜,激光晶化的效果越好,晶粒尺寸长得越大。 相似文献
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Based on the technology of low temperature poly silicon thin film transistors (poly-Si-TFTs), a novel p-type TFT AMOLED panel with self-scanned driving circuit is introduced in this paper. A shift register formed with novel p-type TFTs is pro- posed to realize the gate driver. A flip-latch cooperated with the shift register is designed to conduct the data writing. In order to verify the validity of the proposed design, the circuits are simulated with SILVACO TCAD tools, using the MODEL in which the paramete... 相似文献
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以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品. 相似文献