抗SEB加固功率VDMOS的温度特性研究

仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1 pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。     

一种基于重复数据删除技术的云中云存储系统

随着云存储技术的快速发展和应用,越来越多的企业和用户都开始将数据从本地转移到云存储服务提供商进行存储.但是,在享受云存储高质量服务的同时,将数据仅仅存储于单个云存储服务商中会带来一定的风险,例如云存储服务提供商的垄断、数据可用性和安全性等问题.为了解决这个问题,提出了一种基于重复数据删除技术的云中云存储系统架构,首先消除云存储系统中的冗余数据量,然后基于重复数据删除集中的数据块引用率将数据块以复制和纠删码2种数据布局方式存储在多个云存储服务提供商中.基于复制的数据布局方式易于实现部署,但是存储开销大;基于纠删码的数据布局方式存储开销小,但是需要编码和解码,计算开销大.为了充分挖掘复制和纠删码数据布局的优点并结合重复数据删除技术中数据引用的特点,新方法用复制方式存储高引用数据块,用纠删码方式存储其他数据块,从而使系统整体性能和成本达到较优.通过原型系统的实现和测试验证了相比现有云中云存储策略,新方法在性能和成本上都有大幅度提高.     

磁盘存储系统节能技术研究综述

目前磁盘是构成存储系统的重要组成部分,在存储系统总能耗中磁盘能耗占了大部分.因此磁盘存储系统的高能耗问题受到越来越多研究人员的关注.综述了磁盘存储系统从磁盘到存储系统各个层次的能耗研究进展和现状,同时对各种典型节能方法从原理、实现机制和评测手段等诸方面进行了分析和讨论,并对比分析和总结了各种节能技术的适应环境.结合海量存储系统负载特征的复杂性和应用环境的复杂性等特点,指出了磁盘存储系统节能技术的未来研究方向.     

具有V型镜反射器的全玻璃黑铬真空管集热器的研制

本文报道了非跟踪V型镜反射全玻璃黑铬真空管集热器的结构和设计。该集热器集热效率高,综合性能好,在我国许多地区可全年运行。     

循序渐进,培养大学生创新意识

大学生创新意识的培养是大学教育的重要任务,我们结合教学实践,提出了循序渐进,培养大学生创新意识的方法,即加强学习、夯实基础,选好主题、批判性阅读,组内讨论、提炼创新,反复训练、不断加强,实验实践、验证可行。学生在老师的指导下,通过一至两年的反复训练,学生的创新意识明显得到了加强。实验研究表明,循序渐进,培养大学生创新意识的方法对于学生创新意识的培养有了一定的成效。     

p-CuAlO2/(n-, p-)Si异质结的制备与电学性质

采用化学溶液法在n型和p型Si衬底上成功制备了单相CuAlO2薄膜。薄膜的电导率-温度曲线显示,薄膜在200K-300K温度范围内呈热激活导电模式,激活能约为0.3eV。电流-电压特性测试显示,p-CuAlO2/n-Si异质结具有明显的整流特性,开启电压约为1.6V,在±3V处的整流率约为35,而p-CuAlO2/p-Si同型异质结表现出类似肖特基结的电学性质,由于p-CuAlO2导电性远低于p-Si衬底,正向电流受空间电荷限制。     

基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术

在外延层和衬底之间增加缓冲层能够提高器件的二次击穿电压,从而提高器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压。仿真对比了抗辐射加固纵向扩散金属氧化物场效应管(VDMOS)的单层缓冲层和掺杂线性梯度变化缓冲层的二次击穿特性和电场分布。在掺杂突变的缓冲层/N⁺衬底界面位置,线性缓冲层的电场为1.7×10⁵V/cm,单层缓冲层的电场为2.4×10⁵V/cm。¹⁸¹Ta粒子辐射试验验证了掺杂线性梯度变化缓冲层的SEB阈值电压优于单层缓冲层,线性缓冲层样品的SEB阈值电压大于250 V,单层缓冲层样品的SEB阈值电压为150～200 V。     

反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析

反熔丝电路作为航天领域广泛使用的核心芯片,其失效机理及是否与反熔丝器件相关尤为重要.对某款反熔丝电路电源过应力失效问题进行机理分析,同时通过逻辑分析并配合EMMI、红外等分析手段,对失效点进行物理定位.在此基础上,进一步通过FIB和SEM观察到时钟网络中某NMOS管漏结及布线发生了严重的电迁移,对电源过应力引起NMOS...     

氧化锌基发光二极管的研究进展

概述了ZnO材料的发光性质以及ZnO基发光二极管(LED)器件的发展历程、工作原理和技术路线。详细介绍了各种结构的ZnO基同质结、异质结LED及一维ZnO纳米线/棒阵列异质结LED的最新研究成果,存在的问题以及改进的方法。通过改进器件结构、提高材料质量和采用新型纳米结构材料,使得ZnO基LED的光谱质量和电致发光效率有了本质提高。