基于峰值采样的高速光接收电路设计

设计了一种基于峰值采样原理的高速光接收电路,该光接收电路为克服光电二极管的光电流拖尾现象,引入了峰值采样电路对光脉冲的波峰信号进行检测,解决了传统方案中采用比较器直接比较导致的占空比失真的问题,实现在更高速度下的光探测和信号处理。利用Spice软件对该光接收电路进行了仿真,并对仿真结果进行分析。仿真结果表明:峰值采样电路可准确探测光电流的峰值信号,整体光接收电路可达到20 MHz以上的探测频率,对传统光接收电路占空比失真的问题有较大改善。研究结果对高速应用场合下的光接收电路的发展具有重要意义。     

一种用于激光脉冲测距的恒比定时电路

在激光雷达接收电路中,采用固定阈值比较器得到激光脉冲返回时间时,不同峰值回波信号会产生时间漂移。在传统恒比定时(CFD)电路的基础上,提出了一种窄脉冲延时电路,以替代传统RC延时结构。引入了右半平面零点,在保持增益基本不变的情况下产生相位滞后,保证信号波形不变,从而降低时间漂移效应。该CFD电路基于0.18 μm CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,在窄脉冲输入信号的上升和下降时间均为3 ns、总脉宽为16 ns时,输出信号的延时为2.05 ns。输入信号幅值范围为100~300 mV时,该CFD电路的输出上升沿翻转时间的漂移误差仅为73.6 ps。     

多晶硅还原炉冷却水再利用技术

提出一种将多晶硅还原炉高温冷却水用于溴化锂机组驱动热源的余热回收利用方案,能够有效的将冷却水余热进行利用,可适当降低多晶硅生产成本。     

多晶硅还原炉内主要残留物及清理工艺

多晶硅产品质量要求较高,在生产中还原炉每运行一个周期,其内表面都会残留有Si等污垢。经分析研究可采用氢氧化钠溶液作为清洗液,并根据残留物分布情况对还原炉基盘和钟罩分别采用特定的清理工艺进行处理,能够满足高纯多晶硅生产洁净要求。     

二氯二氢硅对多晶硅生产的影响

二氯二氢硅是多晶硅生产中产生的主要副产物,其长期富集在生产系统会对质量、安全及系统稳定运行造成影响。通过分析二氯二氢硅的来源,并综合现有生产工艺特点,实现生产系统中二氯二氢硅的有效控制。     

有机硅生产中副产盐酸的特点及脱吸工艺选择

有机硅甲基氯硅烷生产中副产的盐酸成分复杂,质量分数在15%～31%,脱吸处理难度大。采用一步氯化钙法进行盐酸脱吸,同时对不同来源的盐酸进行预处理、分质储存和分质处理,能够实现副产盐酸的深度脱吸,实现氯资源的有效回收利用。     

一种高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器

光电探测器是激光雷达的核心器件,通常由雪崩光电二极管(APD)阵列和相应的读出电路组成。跨阻放大器是读出电路的关键部分,其性能在很大程度上决定光电探测组件的性能。基于0.18μm CMOS工艺,针对大输入电容线性APD阵列的应用,设计了一种高增益、高带宽、高电源抑制比的跨阻放大器。基于无源反馈和有源前馈的补偿方式拓展了跨阻放大器带宽,同时实现了高增益和高带宽;设计了具有高电源抑制比的片上无电容低压差稳压器,提高了跨阻放大器的稳定性。仿真结果表明:跨阻增益为104.7 dB·Ω,带宽为198.8 MHz,等效输入噪声电流为3.65 pA·Hz~(-1/2),低频电源抑制比为-57.8 dB,全带宽范围内电源抑制比低于-10.6 dB。     

有机硅甲基单体合成用催化体系的研究进展

有机硅甲基单体合成过程中,催化体系起到至关重要的作用.简述了直接法使用催化剂的研究历程,为获得高效催化体系所做的一系列催化剂及助剂开发和改进尝试.研究证明,铜系列催化体系是性价比最高的催化体系.铜粉作为催化剂的使用方法非常简单:将铜粉/硅粉及助催化剂混匀后进行加热,硅粉便与氯甲烷反应生成甲基氯硅烷,但催化效果并不理想....     

HoneywellEPKS平台下实现四氯化硅氢化工艺程序控制

改良西门子法生产多晶硅中,四氯化硅氢化工艺操作步骤繁琐且多为手动操作,很难将各项工艺指标进行精确控制。实际生产中,不断进行工艺优化及操作改进,现有HoneywellEPKS平台进行自动程序设计及应用,增加多项自动连锁控制,实现了工艺生产过程程序控制。     

有机硅单体合成过程的影响因素

有机硅产业链的前端材料为有机硅单体。在原材料方面,氯甲烷及工业硅的品质对单体的合成有显著的影响,而操作条件主要体现为催化剂种类及结构、反应温度、操作压力等。综述了生产实践过程中有机硅单体合成的影响因素,结果显示,氯甲烷的含水率、工业硅的杂质种类、粒径大小、杂质物相等都对单体的合成具有显著影响;在操作条件方面,进气速率与工业硅粒径需要达到一定的契合,反应温度及压力需要保持恒定,从而避免反应体系波动导致不利影响。