柔性非晶InGaZnO薄膜晶体管栅绝缘层的研究

采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT)。其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化硅(SiO_x)与氧化坦(TaO_x)薄膜的搭配,对比研究了不同栅绝缘层结构的薄膜特性以及所对应的柔性TFT器件的操作特性和偏压稳定性。实验结果表明,TaO_x的成膜速率明显高于SiO_x;随着TaO_x所占比例的增加,栅绝缘层表面粗糙度降低,介电常数显著提高。以300nm厚TaO_x搭配300nm厚SiO_x为例,栅绝缘层相对介电常数可以达到10,对应的a-IGZOTFT表现出了更高的的开态电流和更低的阈值电压,但是器件漏电流略有增加,正偏压稳定性也会有所下降。     

溶剂萃取法制取三聚磷酸钠

利用高分子胺作缔合剂，以湿法磷酸，芒硝为主要原料，萃取制取磷酸二氢钠，经过中和，聚合后，生产高质量的三聚磷酸钠。     

溶剂萃取法制取三聚磷酸钠

利用高分子胺作缔合剂，以湿法磷酸、芒硝为主要原料，萃取制取磷酸二氢钠，经过中和、聚合后，生产高质量的三聚磷酸钠。