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利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。 相似文献
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利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er^3+样品的光致发光影响。实验表明:电化学过程除在Si:Er^3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er^3+样品中的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er^3+发光峰增宽,次峰更丰富。 相似文献
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氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO:AI膜性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
利用脉冲激光法制备了ZnOAl透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、xRD测试分析,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出基片温度从200℃升到300℃过程中,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应zk大。在氧分压强为0Pa、基片温度为400℃下沉积的膜,其电阻率具有较低值,且在可见光区其透光率约为90%。 相似文献
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用扫描电镜继续对发光多孔硅的阴极射线发光进行了系统的研究,得到了其阴极荧光发射部位、强度分布显微照片,发现在样品的表面层脱落处(暴露着多孔层大量微孔)无阴极射线发光产生,只有表面层未脱落处才有阴极射线发光;对样品的截面实验研究同样清楚地表明多孔硅样品的阴极射线发光只来源于其表面层,多孔层、硅单晶衬底区域不发生阴极射线发光.实验还提供了阴极射线发光强度在截面上随深度变化情况显微照片.阴极射线发光光谱表明其光谱峰值位置在680nm处,相似于多孔硅的光致发光.实验结果再次表明多孔硅的可见光来源于其表面层中的荧光物质. 相似文献
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掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。 相似文献
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高效可见光发射多孔硅的红外光致发光表征 总被引:5,自引:1,他引:4
研究了77K下高效可见光发射多也硅材料的红外光致发光光谱,并对多孔硅表面的硅晶体完整性作了分析和表征。 相似文献
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通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar^ 束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数。实验表明:溅射沉积介质膜CdTe ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦麦面器件表面钝化的各项要求。 相似文献
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制备了注入能量为350keV,注入剂量为1×10 ̄(12)~1×10 ̄(15)ion/cm ̄2的Er ̄(3+)离子注入多孔硅样品(简称PS:Er ̄(3+)样品,下同)。测定了退火后PS:Er ̄(3+)样品的77K红外光致发光光谱。实验表明,PS:Er ̄(3+)样品中的Er ̄(3+)离子光致发光强度比Si:Er ̄(3+)样品中的Er ̄(3+)离子强很多(数十倍),并且PS:Er ̄(3+)样品中的Er ̄(3+)离子发光峰更宽,次峰也更丰富。如果退火工艺进一步改进,PS:Er ̄(3+)材料中1.54μm光的发射强度将还能提高。 相似文献
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制备了注入能量为350keV,注入剂量为1×10^12-1×10^15ion/cm^2的Er^3+离子注入多孔硅样品。测定了退火后PS:Er^3+的样吕的77K红外光致发光光谱。 相似文献