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两种新型衬底材料 LiAlO2和LiGaO2晶体的腐蚀形貌和缺陷研究 总被引:4,自引:2,他引:4
LiAlO2和LiGaO2是目前找到的和GaN晶格失配率最小的两种晶体,其失配率分别为1.4%和0.2%.本研究分别利用温梯法和提拉法成功地生长出了LiAlO2和LiGaO2单晶.通过化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射貌相术对两种晶体中的缺陷特征进行了分析,研究了晶体特性、生长方法和缺陷形成的关系.用温梯法生长的LiAlO2晶体质量良好,晶体中无气泡、包裹物.LiAlO2晶体中的位错密度约为3.8×104—6.0×104/cm2,晶体中的主要缺陷为亚晶界或镶嵌,可能是由于温度场不稳定及生长速率太快造成的.而用普通的提拉法生长的LiGaO2晶体由于原料按非化学计量比挥发,致使组分偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物,包裹物和位错的形成具有一定的相互促进作用,往往形成平行于(001)面的亚晶界,通过调整原料配比及生长工艺参数可克服上述问题.测得LiGaO2晶体的位错密度为7.0×105—9.2×105/cm2.温梯法在生长有熔体组分挥发的晶体方面远优于提拉法 相似文献
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温梯法生长φ110 mm×80 mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析 总被引:8,自引:0,他引:8
利用导向籽晶温度梯度法(TGT)生长了φ110mm×80mm的蓝宝石单晶,应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况、发现在晶体放肩处的(1120)面位错密度约为10^4cm^-2量级,等径生长过程中造晶体中心处(0001)面位错密度为(3 ̄4)×10^3cm^-2,靠近坩埚壁处(0001)面晶体位错密度为(5 ̄6)×10^4cm^-2,用同样方法分析 相似文献
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