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1.
本文论述了抗垢涂料实验室快速评价装置的构造及其设计原理,通过该装置所优选的抗垢涂料,其特性同现场挂片试验和实际使用结果是一致的.  相似文献   
2.
某电厂1台6MW汽轮发电机组在大修中将间极绕组极性接错,大修后开机时引起励磁机升压不正常,又由于对出现的一些不正常现象缺乏了解,以致多次判断失误,造成连续4次开机失败、发电机组空转,前后共约20小时,历时5天;其中还因误判励磁机励磁绕组烧坏,不必要地更换了一台励磁机定子。现就正确判断接线作一简要分析。  相似文献   
3.
研究了用氯化亚铁从高盐固废浸出液中去除氰化物,考察了氯化亚铁加入量、浸出液pH、反应时间、反应温度对氰化物去除率的影响。结果表明:对于氰化物质量浓度15.58 mg/L、pH=6.0的溶液,在氯化亚铁加入量31.25 g/L,反应时间5 min,反应温度25℃条件下,溶液中氰化物去除率达97.05%,残余氰化物质量浓度低至0.46 mg/L,氰化物脱除效果较好,且溶液中无新杂质累积,不影响后续回收利用。  相似文献   
4.
采用沉淀-沉积法制备出w(Co)=10%、15%、20%和25%的Co/TiO_2催化剂,并用于催化CO_2甲烷化反应。通过XRD、TEM、N_2吸附-脱附、H_2程序升温还原(H_2-TPR)和CO_2程序升温脱附(CO_2-TPD)对催化剂进行了表征与测试。结果表明,Co的负载影响了催化剂中Co3O4晶粒尺寸、比表面积、孔径以及催化剂的还原性能,且Co物种与TiO_2载体发生了强相互作用。其中,w(Co)=20%的Co/TiO_2催化剂中Co颗粒平均尺寸约为8nm,比表面积及孔径分别为40.9 m2/g和6.96 nm,且Co分散度达10.1%,从而更有利于CO_2甲烷化反应。此外,w(Co)=20%的Co/TiO_2催化剂表面具有最大的中强碱位量(28μmol/g),从而可活化更多的CO_2。活性测试结果表明,当反应温度为400℃、压力0.5 MPa、原料气空速3 600 m L/(g·h)、V(H_2)/V(CO_2)=4时,w(Co)=20%的Co/TiO_2催化剂的活性最好,其CO_2转化率和CH_4选择性可分别达到69.9%和98.3%,且在20 h内保持稳定。  相似文献   
5.
聚硅酸乙酯的改性及其应用的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
周郁文 《涂料工业》2001,31(12):14-17
改性聚硅酸乙酯配制的涂料,性能优良,用途广泛。介绍了聚硅酸乙酯的改性方法,并比较了不同改性剂改性聚硅酸乙酯漆膜的性能指标及其应用。讨论了确定聚桂聚酸乙酸水解度的因素和改性剂的改性机理。  相似文献   
6.
采用水溶性硅酸盐对片状铝粉进行处理后,铝粉表面被反应物包覆,使单个铝粉粒子完全密封,从而使铝粉变得稳定.将处理后的铝粉颜料与硅丙乳胶成膜剂、硅酸盐及其他助剂配制咸水性硅酸盐无机富铝涂料(E02-4富铝),研究了铝粉在硅酸钠中的反应机理和胶囊化模型.结果表明,所得涂料贮存性稳定、性能优异.  相似文献   
7.
论述了水溶性硅酸盐处理片状铝粉的技术和水性无机富铝涂料制备的方法.被处理的铝粉表面被反应物包覆,使单个铝粉粒子完全密封,从而使铝粉变得稳定.处理后的铝粉颜料,与成膜剂硅酸盐、固化剂、成膜助剂、改性添加剂等配制成贮存稳定、性能优异的水性硅酸盐无机富铝涂料(E02-4富铝).讨论了铝粉在硅酸钠中的反应机理和胶囊化模型.  相似文献   
8.
通过对几次断线故障的分析,指出在系统发电设备容量日益增大的情况下,由于短路电流的作用极易在接触不良的线夹接头处出现过热,酿成断线重大事故。本文对此进行了分析计算,提出了必要的防范措施。  相似文献   
9.
工业用水含有浓度不同的硫酸盐和碳酸盐,它们的溶解度是阴阳离子浓度、温度、pH值、压力等的函数。当上述条件变化,阴阳离子浓度的乘积超过其溶度积时,这些物质便会沉积在工业设备的表面而形成垢层。坚厚的垢层,妨碍传热,影响液体流动,加重腐蚀,甚至导致事故的发生。为了解决输水系统中的结垢问题,人们进行了大量的研究工作。六十年代初,人们开发了含磷的有机阻垢剂,七十年代前后,人们又开发了聚攒酸型阻垢剂。目前,这两种类型的阻垢剂,在工业上已广泛应用。然而,阻垢剂也有一定的不足,它在工业用水中要有一定"临界浓度"(5~20PPm)。这对于用水量大的工业系统,尤其是非循环系统是不经济的。另外,它们的热稳定性和由于毒性造成的水质污染也是难以解决的。  相似文献   
10.
铜金粉电磁屏蔽导电涂料   总被引:1,自引:0,他引:1  
制备了铜金粉电磁屏蔽导电涂料(E-CuZn),并将其涂覆于ABS塑料板上制成涂层,测试了屏蔽涂层的物理性能和电磁屏蔽效能,并与铜粉电磁屏蔽涂料(E-Cu)涂层进行了比较.试验证明:E-CuZn涂层屏蔽效能稳定,可以满足一定时间内的屏蔽要求.  相似文献   
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