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采用基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处。计算结果与其他文献结果吻合较好,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。 相似文献
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采用液氮制冷和空冷两种冷却方式制备了不同烧结温度的系列相同配方Er3+/Yb3+共掺杂BaF2粉末.与同一烧结温度采用空冷制得的样品相比较,液氮制冷可将样品的上转换荧光强度提高20倍.各样品的XRD图谱表明,经两种方式冷却后样品的晶体结构没有明显区别,但采用液氮制冷制得样品的BaF2平均晶格常数a和样品中Yb2O3含量均较采用空冷制得样品的相应参数略有减小,由此可知液氮制冷有利于更多稀土离子替代基质材料中的Ba2+成为发光中心,提高了样品的上转换发光效率. 相似文献
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