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1.
BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷,研究了SiO2-B2O3玻璃的含量,Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响,以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律,结果表明,休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高,BaF312O19相的析出越困难,前驱体合适的热处理温度为1000℃,介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降;介电损耗的最大值为0.43,磁损耗较小。 相似文献
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通过A位或B位掺杂改性得到的钛酸钡基铁电材料,在外加直流偏置电场作用下,具有介电常数非线性可调的优异介电性能,可以广泛地应用于压控可调陶瓷电容器和微波可调器件领域。针对钛酸钡基铁电材料的介电非线性特性,讨论了BaTiO_3基铁电材料分别在铁电相、顺电相以及相转变温度场附近的介电非线性机理和相关理论;结合笔者近年来有关介电非线性研究的实验结果和相关文献报道,综述了不同A位离子(如Sr~(2-)和Ca~(2-)等)或B位离子(如Zr~(4 )和Sn~(4-)等)掺杂的BaTiO_3基铁电材料体系的介电非线性研究现状,分别对不同物质形态(陶瓷块体、薄膜和厚膜)的BaTiO_3基铁电材料的介电非线性研究及其应用进行了对比分析;并对钛酸钡基铁电材料今后的发展趋势和研究方向进行了展望。 相似文献
5.
采用新型的Sol-gel工艺制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)超细粉体,将BST粉体进行压制和烧结,获得了晶粒尺寸在1μm以内的BST陶瓷块体.观察了BST陶瓷块体的结晶情况并测定了其电学性能.在Sol-gel工艺中,加入了有机大分子量聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)制备BST前驱体.实验结果表明:PVP的加入可有效增加前驱体的稳定性和分散性,降低BST陶瓷的预烧温度约250℃,并在1200℃获得晶粒细小、致密的BST陶瓷.BST陶瓷,显示弥散相变特征. 相似文献
6.
由两个铁电体所组成的固溶体的平均相变温度通常都处于这两个铁电体的相变温度之间.然而,Ph(Zn1/3Nb2/3)O3-BaTiO3(PZN-BT)的平均相变温度却呈现出明显不同的变化规律.随着BT含量的增加,PZN-BT的平均相变温度迅速下降.本文从化学组成复杂的系统中存在着纳米分相的假设出发,提出在PZN-BT系统中存在着以Ba(Zn1/3Nb2/3)O3为主的顺电微区.采用热力学的方法,解释了PZN-BT系统的相变温度的反常下降. 相似文献
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9.
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。 相似文献
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