YbBi2单晶的合成及导电特性研究

本文主要研究了ＹｂＢｉ２单晶的合成和电阻温度特性。实验发现ＹｂＢｉ２单晶具有金属特性；在１．８Ｋ以上没有表现出超导电性；其净电阻率之比高达３８０；电阻温度特性曲线表明：ＹｂＢｉ２单晶在５５Ｋ左右发生了明显的相变。     

YbBi2单晶的磁化特性研究

研究了ＹｂＢｉ２单晶磁化强度和温度的关系以及ＹｂＢｉ２单晶在２Ｋ时的磁化特性,实现发现ＹｂＢｉ２单晶在２Ｋ以上没有表现出超导电性;在１．５Ｋ以上ＹｂＢｉ２单晶是一种顺磁质;它在５５Ｋ左右发生了明显的相变。     

SiC多型体的电子结构和光学特性研究

在局域密度近似下,采用平面波超软赝势法对SiC多型体的能带和光谱特性进行了研究.计算了4种SiC多型体的能带、介电常数等并进行了比较.计算表明4H-SiC导带最低点在布里渊区M点,6H-SiC导带最低点在布里渊区ML线上U(0,0.176,0)(2π/a)点.在布氏区垂直于Z轴方向的AH和LH段能带是二重简并的.能带得介电常数的计算表明SiC是各向异性材料.局域密度近似下的密度泛函理论对能隙的计算结果小于实验结果.     

Pb1-xSnxTe晶体的合成及电磁特性研究

:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3～ 1 6)× 1 0 1 7/ cm3和 1 0 2 cm2 /Vs;随着 x的增加晶体从 P型半导体向 n型半导体转变     

YbBi2单晶的合成及其X射线衍射的实验研究

利用 flux法成功合成了高纯的 Yb Bi2 单晶 .实验发现本文合成的 Yb Bi2 单晶是片状晶体 ,平均面积为 4 8mm2 ,厚度 1 mm,在常温下处于亚稳态 ,容易氧化 .利用粉末法仅有一个衍射峰可以明确判定为 Yb Bi2 的衍射峰 ;利用 Yb Bi2 单晶进行射线衍射实验 ,仅能获得 ( 0 1 0 )面的一系列衍射峰 ,其它衍射峰却很难获得 .本文首次采用了对尺度逐渐减小的晶粒进行 X射线衍射的方法 ,成功获得 Yb Bi2 的 XRD谱 .     

PbTe薄膜及单晶的电磁特性研究

采用布里奇曼法在 Ar气气氛中于石英坩锅内合成了 Pb Te单晶 ,并运用真空蒸镀法制成了其多晶薄膜 ,测试了它们的伏安特性、热电特性、光电导效应 .实验发现 :所合成的 Pb Te单晶是 P型半导体 ,对可见光较敏感 ;Pb Te薄膜及单晶的温差电动势具有相同的数量级 ,均具有显著的热电效应 .     

化合物半导体PbTe单晶的制备及其特性

采用布里奇曼法合成了ＰｂＴｅ单晶,测试了其伏安特性、阻温特性、热电特性及光电导特性．实验发现,所合成的ＰｂＴｅ单晶是Ｐ型半导体,具有显著的温差电动势,对可见光灵敏度较高,是一种性能优良的热电材料．     

光纤测厚传感器及其应用

用光纤位移传感器可以构成一种新型传感器——测厚传感器 ,对纸张等薄型物体的厚度进行测定     

银表面等离子体效应增强TiO2纳米管阵列光解水制氢

采用阳极氧化法制备得到TiO2纳米管阵列(TiO2-NTA),同时借助光化学还原法将纳米Ag颗粒沉积于TiO2-NTA表面(Ag/TiO2-NTA)。利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、扫描电镜(SEM)对样品的晶型、光响应性能、表面形貌等进行了表征。分析结果表明,TiO2-NTA管径约为150nm,壁厚约为20nm,纳米Ag颗粒以单质形态分散于TiO2-NTA表面,其等离子体效应可以有效促进TiO2-NTA对可见光的吸收,共振吸收波长位于420nm。光解水制氢实验结果表明,Ag/TiO2-NTA的光催化活性高于纯的TiO2-NTA,前者约为后者的2.3倍。     

AlB_n~-(n=2～10)团簇几何及电子结构的理论研究

为了弄清AlBn-(n=2~10)团簇的电子几何结构,用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-311+G*的水平上对AlBn-(n=2~10)团簇的几何构型、电子结构、振动频率、键长等性质进行了系统地理论研究。与相应的中性AlBn(n=2~10)团簇相比,AlBn-(n=2,4~8)阴离子团簇都取得了与中性团簇相似或者是相同的结构,其余的阴离子团簇结构变化较大。通过对基态结构的能隙、平均束缚能、分裂能、能量二次差分以及垂直电离能的分析讨论,得到了AlBn-(n=2~10)团簇结构中AlB4-和AlB7-阴离子团簇相对比较稳定,其中AlB7-团簇是最稳定的。