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用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜。采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析。分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO。延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少。退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4Ω.cm)和高可见光平均透射率(93.2%)。 相似文献
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将真空蒸发沉积的Al膜 ,在一台高频等离子体辉光放电的装置中进行阳极氧化 ,得到了光学和电学性能稳定的Al2 O3 膜。Al膜表面氧化层结构是γ Al2 O3 ,在波长 30 0~ 70 0nm范围内折射率为 1 5 3~ 1 34。文章还对用不同方法制备的Al2 O3 膜的折射率的差异进行了讨论 相似文献
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用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7~1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0nm增加到1545.0nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2tim逐渐增大到14.5nnl。应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在Ф≠30mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgR薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1200nm时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。 相似文献
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Ag-MgF2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成.在400~1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400~600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730~1250cm-1的吸收谱带;在200~800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220~800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340~580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(>51%). 相似文献