彩色LCoS显示器设计分析(一)

LCoS投影显示技术是当代显示领域最受关注的热门话题之一，为了满足广大读者渴望深入了解LCoS显示器的要求，本刊编辑部特邀请南开大学信息学院LCoS显示器研究小组就“彩色LCoS显示器设计分析”撰文，分多次连续刊登，并希望展开讨论，以促进我显示科技和显示工业的发展。     

a—SiTFT有源矩阵液晶显示器的研制进展

本文全面介绍了我们在ａ－ＳｉＴＦＴ－ＡＬＭＬＣ“八五”科技攻关研究中的ＴＦＴ矩阵模拟与优化设计，性能改善，提高矩阵板一致性和完整性，液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。     

双栅绝缘层a-Si TFT研究(英文)

采用阳极氧化法对Ta、Ae两种栅电极进行了氧化物获得及性能研究。 低阻Ta膜的获得是至关重要的,我们采用直流磁控溅射法详细研究了降低Ta膜电阻的条件,并获坡度可达30-45°的蚀刻条件。 阳极氧化膜的厚度可精确地用工作电压控制,其性能则与工作电流、结束方式紧密相关。MOx/SiNx双层膜厚控制匹配与TFT性能关系甚大,在权衡矩阵成品率与性能方面尚有工作要做。实验发现,在严格控制实验条件下,可使TFT的场迁移率得以改善,相应开态电流有所增长。     

a—Si PIN太阳能电池中PI间缓冲层的作用

本文测量了电池表观禁带宽度E_g~(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼顾电池性能与稳定性而优化选择缓冲层的厚度。     

An integrated driving circuit implemented with p-type LTPS TFTs for AMOLED

Based on the technology of low temperature poly silicon thin film transistors (poly-Si-TFTs), a novel p-type TFT AMOLED panel with self-scanned driving circuit is introduced in this paper. A shift register formed with novel p-type TFTs is pro- posed to realize the gate driver. A flip-latch cooperated with the shift register is designed to conduct the data writing. In order to verify the validity of the proposed design, the circuits are simulated with SILVACO TCAD tools, using the MODEL in which the paramete...     

自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅.以此多晶硅为有源层进行了薄膜晶体管研究.制备的p型TFT器件具有良好的特性,可有效地减小漏电流,同时具有很好的均匀性和稳定性.     

基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究

在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层--薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多品硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性.与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程.     

玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路

以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.