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采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。 相似文献
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假设老化是从亚稳态到稳态的变化,利用反应动力学理论对Sol-Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件的老化特性进行了研究,推导出老化公式△R/Ro=Σri[1-exp(-t/τi)]其中:τi=τoiexp(Ei/kT))。结果表明理论与实验能很好地一致,对于本文所研究的热敏元件,符合公式AR/Ro=r1[1-exp(-t/τ1)]+r2[1-exp(-t/τ2)],该式中:,r1=11.767×10-3;r2=20.6735×10-3;τ1=6.4578×10-3exp(6190.89/T);τ2=1.0461×10-6exp(8ll6.24/T)。 相似文献
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