疲劳/蠕变复合作用下聚苯乙烯的交互损伤研究

探讨了在疲劳／蠕变复合作用下聚苯乙烯的损伤交互作用，结果表明，在疲劳／蠕变复合作用下聚苯乙烯存在疲劳和蠕变的交互损伤，其断裂寿命比纯疲劳或纯蠕变的断裂寿命低；断裂机制是疲劳循环载荷松动和活化了分子链或链段，从而促进蠕变运动和断裂，并且，疲劳／蠕变的交互损伤程度与温度密切相关。     

PZT／Ni—Zn铁氧体复合材料电磁特性研究

研究了铁电材料ＰＺＴ和铁磁材料Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体的复合材料在１￣１０００ＭＨｚ频率范围内的电磁特性。结果表明，ＰＺＴ具有铁电与铁磁共存的双重特性。当与Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体复合后，其复合磁导率及复合介电常数均具有可调性，由此可优化设计高吸收电磁波能力的新型复合材料。     

疲劳与蠕变复合作用下PS的应变与寿命

对PS在疲劳/蠕变复合作用下应变与寿命进行了研究。结果表明：其疲劳/蠕变曲线与纯蠕变曲线十分相似。加载时间周期越短和疲劳载荷变化越频繁。结束普弹应变阶段应变越小，进入延迟弹性变形的平台应变阶段越早。在疲劳/蠕变复合作用下聚苯乙烯存在疲劳和蠕变的交互损伤，其断裂寿命比纯疲劳或纯蠕变的断裂寿命低。断裂寿命减小，疲劳/蠕变的交互损伤程度与温度密切相关，PS在较低温度的疲劳/蠕变交互损伤作用大于较高温度的交互损伤作用。随温度升高，疲劳/蠕变断裂寿命下降是疲劳和蠕变各自的单独损伤增加所致。     

PA66／HA复合生物材料的力学性能研究

研究了纳米羟基磷灰石(nHA)的含量、生理盐水及HA的粒径对聚酰胺(PA66)/nHA复合材料力学性能的影响,并用扫描电子显微镜观察了复合材料的断面形态。结果发现,随着nHA含量的增加,PA66/nHA复合材料的弹性模量、弯曲强度、冲击强度和压缩强度等力学性能都有不同程度的增加。在生理盐水中浸泡后,PA66/nHA复合材料的力学性能有所降低,但韧性增强。HA粒径的大小对复合材料的力学性能影响很大,PA66/nHA复合材料的力学性能比PA66/微米级HA复合材料的要好。     

负载纳米TiO2薄膜的光催化自清洁陶瓷的制备

采用溶胶-凝胶法制备了负载有纳米TiO2薄膜的自清洁陶瓷,用XRD表征了TiO2的晶体结构和晶粒度.考察了溶胶前躯体浓度和煅烧温度对自清洁陶瓷亲水性和光催化降解甲基橙性能的影响,并通过测试陶瓷片洗刷后的性能考察了薄膜的附着力.结果表明,前躯体浓度越大,TiO2的晶粒度越大;前驱体浓度对薄膜的亲水性能影响不大,但对薄膜的降解性能和附着力影响较大;薄膜的最佳煅烧温度为500℃.     

纳米TiO2/高抗冲聚苯乙烯耐候型复合材料研究

利用金红石型纳米TiO2优异的紫外线屏蔽性能,采用熔融共混法制备了纳米TiO2/高抗冲聚苯乙烯(H IPS)复合材料。经过672 h的氙灯气候加速老化后,缺口强度保持率比未改性H IPS提高了约20%,颜色变化幅度只有未改性H IPS的10%,抗色变能力大幅度提高;质均相对分子质量在整个加速老化期间未发生明显变化,老化672 h后下降幅度只有未改性H IPS的10%,FTIR分析表明,由于纳米TiO2与光稳定剂的协同作用使改性H IPS的光老化速度得到有效抑制,其羰基和羟基吸收峰的振动特征在672 h的老化期间内均未发生明显变化。     

纳米复合建筑涂料

介绍了纳米材料及其在建筑涂料中的应用现状。着重阐述了纳米复合建筑涂料的耐候性、抗菌性、耐沾污性和自清洁性等优良性能。     

PP/TiO2纳米复合材料的研制及其抗老化机理分析

制备了聚丙烯(PP)／TiO2纳米复合材料,用氙灯耐气候试验机对该复合材料进行人工加速老化试验。采用紫外一可见光光谱法分析了纳米TiO2等粉体材料的紫外吸收性能;分析了PP／TiO2纳米复合材料的红外光谱并探讨了抗老化机理;对比研究了纯PP和PP／TiO2纳米复合材料老化期间力学性能的变化规律。结果表明,纳米TiO2能赋予PP优异的耐候性能,延长制品的户外使用寿命。     

热处理对Cu-Zn-Al形状记忆合金单程形状记忆效应的影响

研究了在SME法训练条件下，等温淬火热处理对Cu—Zn—Al形状记忆合金单程形状记忆效应ηo的影响及与“淬火 上淬”热处理的比较。研究结果表明，等温时间如能保证合金充分有序化，又不使合金发生偏聚和析出其它相时，可获较好单程形状记忆效应训练效果。等温时间8min的单程回复率ηo较佳，训练达到稳定时，比等温3min得到的最差的ηo值高出约83％。随训练次数增加，位错增加，晶格原子有序度降低，单程形状记忆效应先急剧下降，后缓慢下降，最后趋于稳定。比较试验发现，“淬火 上淬”处理比等温淬火处理具有更好的单程形状记忆效应训练效果。因为后者的母相-马氏体共格关系不如前者，并可通过时效获得最佳有序畴尺寸.经充分训练后，前者最终的单程回复率ηo比后者的高出34％.     

掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究

采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM、XS、XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6 形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6 ,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6 量为2.04%,其相变温度下降到28℃.