Ni掺杂对Cu_3N薄膜结构与性能的影响

采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Ni掺杂Cu3N薄膜,并研究了Ni掺杂对Cu3N的结构、电学性能和光学性能的影响。研究发现:Ni的加入使得Cu3N薄膜的(111)晶面向小角度偏移;随着Ni含量的增加,Cu3N薄膜的电阻率从1450×10-6Ω.cm减小到184×10-6Ω.cm,光学能隙从1.09eV增加到1.52eV。     

Cu_3N薄膜制备及其性能研究

Cu3N薄膜的晶面取向、沉积速率、电学特性等性质除与制备方法有关外,还和制备工艺参数有很大关系。溅射法制备Cu3N薄膜工艺参数主要有,混合气体(N2+Ar)中氮气分压比r、基底温度T(℃)、溅射功率P(W)。为了研究Cu3N薄膜的性能与其制备工艺参数之间关系,本文采用反应射频磁控溅射法,在玻璃基底上成功制备了Cu3N薄膜,并研究了工艺参数对其晶面取向、膜厚、电学性能、沉积速率的影响。